[發明專利]半導體硅片的熱處理方法在審
| 申請號： | 201910088978.0 | 申請日： | 2019-01-29 |
| 公開（公告）號： | CN111489969A | 公開（公告）日： | 2020-08-04 |
| 發明（設計）人： | 黃海冰 | 申請（專利權）人： | 東莞新科技術研究開發有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/324 | 分類號： | H01L21/324;H01L21/67 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 硅片 熱處理 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體硅片的熱處理方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供熱處理裝置，所述熱處理裝置分別與加熱裝置及抽真空裝置相連；
控制所述熱處理裝置內的溫度在預定溫度；
將半導體硅片置于所述熱處理裝置中并控制所述熱處理裝置內的真空度維持在第一值；
通入氬氣并控制所述熱處理裝置內的真空度維持在第二值，所述第二值大于所述第一值；
控制所述熱處理裝置內的溫度維持在所述預定溫度并保持預定時長；以及
關閉所述加熱裝置并保持所述熱處理裝置的真空度維持在所述第二值，直至所述半導體硅片恢復室溫。
2.如權利要求1所述的半導體硅片的熱處理方法，其特征在于：控制所述熱處理裝置內的所述預定溫度為155℃-175℃。
3.如權利要求1所述的半導體硅片的熱處理方法，其特征在于：所述半導體硅片在所述熱處理裝置內的所述預定時長為30-60分鐘。
4.如權利要求1所述的半導體硅片的熱處理方法，其特征在于：所述第一值為-0.20mpa到-0.10mpa。
5.如權利要求1所述的半導體硅片的熱處理方法，其特征在于：所述第二值為-0.05mpa到-0.08mpa。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
