[發(fā)明專利]雙異質結光敏二極管及制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910088614.2
• 申請日: 2019-01-28
• 公開（公告）號: CN109873046B
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發(fā)明（設計）人: 劉興釗;范旭東;潘棋;任羿烜;代天軍;羅文博;張萬里;李言榮
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L31/109
• 分類號: H01L31/109;H01L31/032;H01L31/18
• 代理公司: 成都惠迪專利事務所(普通合伙) 51215
• 代理人: 劉勛

1.雙異質結光敏二極管，其特征在于，包括自下而上順序設置的單晶基片、第一硫族化合物層、窄禁帶半導體材料層、第二硫族化合物層，窄禁帶半導體材料層覆蓋第一硫族化合物層上表面的局部，第一硫族化合物層的上表面和第二硫族化合物層的上表面各設置有電極；

所述窄禁帶半導體材料層的材料包含Pb_1-xSn_xSe或Pb_1-xSn_xTe，其中0≤x≤1；

所述第一硫族化合物層的材料包含Mo_1-yW_ySe₂，其中0≤y≤1；

所述第二硫族化合物層的材料包含Hf_zZr_1-zSe₂，其中0≤z≤1。

2.如權利要求1所述的雙異質結光敏二極管，其特征在于，

所述窄禁帶半導體材料層的材料為Pb_1-xSn_xSe或Pb_1-xSn_xTe，其中0≤x≤1；

所述第一硫族化合物層的材料為Mo_1-yW_ySe₂，其中0≤y≤1；

所述第二硫族化合物層的材料為Hf_zZr_1-zSe₂，其中0≤z≤1。

3.如權利要求1所述的雙異質結光敏二極管，其特征在于，

所述窄禁帶半導體材料層的厚度為30納米～300納米，

所述第一硫族化合物層的厚度為1.3納米～13納米，

所述第二硫族化合物層的厚度為1.3納米～13納米。

4.如權利要求1所述的雙異質結光敏二極管，其特征在于，所述單晶基片的材質為硅單晶、覆蓋有二氧化硅層的硅單晶、硒化鎘單晶或銻化鎵單晶。

5.雙異質結光敏二極管的制備方法，其特征在于，包括下述步驟：

1)清洗單晶基片；

2)在單晶基片上順序逐層設置第一硫族化合物層、窄禁帶半導體層和第二硫族化合物層；

3)刻蝕窄禁帶半導體層和第二硫族化合物層，至暴露出第一硫族化合物層；

4)在第一硫族化合物層的暴露表面和第二硫族化合物層的上表面設置電極；

所述窄禁帶半導體層的材料包含Pb_1-xSn_xSe或Pb_1-xSn_xTe，其中0≤x≤1；

所述第一硫族化合物層的材料包含Mo_1-yW_ySe₂，其中0≤y≤1；

所述第二硫族化合物層的材料包含Hf_zZr_1-zSe₂，其中0≤z≤1。