[發明專利]一種基于準調制摻雜效應的異質結構氧化物薄膜晶體管

有效

• 申請號: 201910087938.4
• 申請日: 2019-01-29
• 公開（公告）號: CN109888019B
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 裴艷麗;劉玲
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/267;H01L21/34
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 陳偉斌

1.一種基于準調制摻雜效應的異質結構氧化物薄膜晶體管，其特征在于，由下至上依次為柵電極、絕緣柵層、異質有源層、源漏電極，所述的異質有源層包括與絕緣層接觸的窄帶隙氧化物半導體層，位于窄帶隙氧化物半導體層上的寬帶隙氧化物半導體層；所述的窄帶隙氧化物半導體層為氧化銦；所述的窄帶隙氧化物半導體層的界面為平整的單晶或多晶結構，厚度小于10nm；所述的寬帶隙氧化物半導體層為鋁銦氧，厚度小于5nm。

2.根據權利要求1所述的一種基于準調制摻雜效應的異質結構氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述的絕緣柵層為二氧化硅、氧化鋁、氧化鋯或氧化鉿。

3.根據權利要求2所述的一種基于準調制摻雜效應的異質結構氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述的源漏電極與寬帶隙半導體層接觸，源漏電極為金屬電極或者ITO透明電極。