[發(fā)明專利]一種基于準(zhǔn)調(diào)制摻雜效應(yīng)的異質(zhì)結(jié)構(gòu)氧化物薄膜晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910087938.4
• 申請日: 2019-01-29
• 公開（公告）號: CN109888019B
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 裴艷麗;劉玲
• 申請（專利權(quán)）人: 中山大學(xué)
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/267;H01L21/34
• 代理公司: 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102
• 代理人: 陳偉斌

1.一種基于準(zhǔn)調(diào)制摻雜效應(yīng)的異質(zhì)結(jié)構(gòu)氧化物薄膜晶體管，其特征在于，由下至上依次為柵電極、絕緣柵層、異質(zhì)有源層、源漏電極，所述的異質(zhì)有源層包括與絕緣層接觸的窄帶隙氧化物半導(dǎo)體層，位于窄帶隙氧化物半導(dǎo)體層上的寬帶隙氧化物半導(dǎo)體層；所述的窄帶隙氧化物半導(dǎo)體層為氧化銦；所述的窄帶隙氧化物半導(dǎo)體層的界面為平整的單晶或多晶結(jié)構(gòu)，厚度小于10nm；所述的寬帶隙氧化物半導(dǎo)體層為鋁銦氧，厚度小于5nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于準(zhǔn)調(diào)制摻雜效應(yīng)的異質(zhì)結(jié)構(gòu)氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述的絕緣柵層為二氧化硅、氧化鋁、氧化鋯或氧化鉿。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于準(zhǔn)調(diào)制摻雜效應(yīng)的異質(zhì)結(jié)構(gòu)氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述的源漏電極與寬帶隙半導(dǎo)體層接觸，源漏電極為金屬電極或者ITO透明電極。