[發(fā)明專利]顯示面板和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910087643.7 | 申請日: | 2019-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN109817643B | 公開(公告)日: | 2021-02-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳嫻;韓立靜 | 申請(專利權)人: | 上海天馬有機發(fā)光顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知識產(chǎn)權代理事務所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 201201 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括顯示區(qū)、圍繞所述顯示區(qū)設置的非顯示區(qū)、至少一個缺口,所述顯示區(qū)包括多條沿第一方向延伸的數(shù)據(jù)線,所述顯示面板的邊緣沿第二方向朝向所述顯示區(qū)內(nèi)部凹陷形成所述缺口,所述第二方向與所述第一方向交叉,所述顯示區(qū)包括第一顯示區(qū)和第二顯示區(qū),所述第一顯示區(qū)在所述第一方向上位于所述缺口遠離驅(qū)動芯片的一側,所述顯示區(qū)中除所述第一顯示區(qū)之外的區(qū)域為所述第二顯示區(qū);所述顯示區(qū)還包括:
電源線,所述電源線包括沿所述第一方向延伸的甲電源線和沿所述第二方向延伸的乙電源線,一條所述甲電源線與多條所述乙電源線交叉,所述乙電源線通過第一過孔連接到與所述乙電源線交叉的所述甲電源線;其中,
所述甲電源線包括位于所述第一顯示區(qū)的第一甲電源線和位于所述第二顯示區(qū)的第二甲電源線,所述第二甲電源線的一端作為電壓信號的輸入端,所述第一甲電源線的兩端均不作為電壓信號的輸入端;
所述乙電源線包括位于所述第一顯示區(qū)的第一乙電源線和位于所述第二顯示區(qū)的第二乙電源線,一條所述第一乙電源線連接一條所述第二乙電源線;單位長度的所述第一乙電源線的電阻小于單位長度的所述第二乙電源線的電阻,所述第一乙電源線的寬度大于所述第二乙電源線的寬度,所述顯示面板的ppi值為A,所述第一乙電源線的寬度為d2,單位為μm,A/320≤d2≤A/6;
所述第一顯示區(qū)內(nèi)單位面積的所述電源線的電阻小于所述第二顯示區(qū)內(nèi)單位面積的所述電源線的電阻。
2.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
單位長度的所述第一甲電源線的電阻小于單位長度的所述第二甲電源線的電阻。
3.根據(jù)權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一甲電源線的寬度大于所述第二甲電源線的寬度。
4.根據(jù)權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,
所述顯示面板的ppi值為A,所述第一甲電源線的寬度為d1,單位為μm,A/320≤d1≤A/13。
5.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
在所述第一顯示區(qū)還設置有補償線,
一條所述補償線與至少兩條所述第一甲電源線交叉,且所述補償線通過第二過孔與所述第一甲電源線電連接。
6.根據(jù)權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,
所述顯示面板包括顯示層,所述顯示層包括陽極、發(fā)光層和陰極;
所述補償線與所述陽極位于同一膜層。
7.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述顯示面板還包括柵極金屬層和源漏金屬層;
所述顯示面板還包括薄膜晶體管,所述薄膜晶體管的柵極位于所述柵極金屬層,所述薄膜晶體管的源極、漏極和所述數(shù)據(jù)線位于所述源漏金屬層;
所述甲電源線與所述數(shù)據(jù)線位于同一膜層。
8.根據(jù)權利要求7所述的顯示面板,其特征在于,
所述顯示面板還包括電容極板層;
所述顯示面板包括像素電容,所述像素電容的第一極板位于所述電容極板層,所述像素電容的第二極板位于所述柵極金屬層;
所述乙電源線與所述第一極板位于同一膜層。
9.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述顯示面板還包括像素電路,所述像素電路包括驅(qū)動晶體管,所述電源線與所述驅(qū)動晶體管連接,用于產(chǎn)生驅(qū)動電流。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1至9任一項所述的顯示面板。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海天馬有機發(fā)光顯示技術有限公司,未經(jīng)上海天馬有機發(fā)光顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910087643.7/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:薄膜晶體管陣列基板及其制造方法
- 下一篇:一種TFT陣列基板及其制備方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





