[發明專利]一種適用于高壓的電源穩壓電路

有效

• 申請號: 201910087621.0
• 申請日: 2019-01-29
• 公開（公告）號: CN111488025B
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發明（設計）人: 黃鵬;鄧龍利
• 申請（專利權）人: 合肥格易集成電路有限公司;北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

1.一種適用于高壓的電源穩壓電路，其特征在于，所述電路包括：

選通模塊、反饋電壓模塊、高壓鉗位負反饋調壓模塊、第一NMOS管以及邏輯模塊；

所述選通模塊與所述第一NMOS管和所述高壓鉗位負反饋調壓模塊分別連接，用于控制所述適用于高壓的電源穩壓電路的工作狀態；

所述反饋電壓模塊與所述高壓鉗位負反饋調壓模塊、所述邏輯模塊以及所述第一NMOS管分別連接，用于產生所述適用于高壓的電源穩壓電路的輸出電壓的反饋電壓；

所述高壓鉗位負反饋調壓模塊與所述選通模塊、所述反饋電壓模塊以及所述第一NMOS管分別連接，用于根據所述反饋電壓，產生負反饋電壓，還用于調節所述負反饋電壓的大小以及鉗位所述反饋電壓，使得所述高壓鉗位負反饋調壓模塊正常工作；

所述第一NMOS管與所述選通模塊、所述反饋電壓模塊以及所述高壓鉗位負反饋調壓模塊分別連接，用于產生高壓緩存電路的輸出電壓，并根據所述負反饋電壓的大小，調節所述輸出電壓的大?。?/p>

所述邏輯模塊與所述反饋電壓模塊連接，用于調節所述反饋電壓的大小。

2.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述高壓鉗位負反饋調壓模塊包括：第二NMOS管、第三NMOS管以及第一電阻；

所述第二NMOS管的柵極與所述反饋電壓模塊連接；

所述第二NMOS管的漏極與所述第三NMOS管的源極連接；

所述第二NMOS管的源極接地，所述第二NMOS管用于產生所述負反饋電壓；

所述第三NMOS管的柵極與預設固定電路連接，所述預設固定電路用于產生固定電壓；

所述第三NMOS管的漏極與所述第一電阻的第一端和所述第一NMOS管的柵極分別連接；

所述第三NMOS管的源極與所述第二NMOS管的漏極連接，所述第三NMOS管用于鉗位所述反饋電壓，以使得所述第二NMOS管正常工作；

所述第一電阻的第一端與所述第三NMOS管的漏極和所述第一NMOS管的漏極分別連接；

所述第一電阻的第二端與所述選通模塊和所述第一NMOS的漏極分別連接，所述第一電阻用于根據所述負反饋電壓，調節所述負反饋電壓大小。

3.根據權利要求2所述的電路，其特征在于，所述適用于高壓的電源穩壓電路應用于存儲器中，所述存儲器包括控制模塊；

所述控制模塊與所述選通模塊連接，用于向所述選通模塊發送使能信號，所述使能信號用于控制所述選通模塊的工作狀態。

4.根據權利要求3所述的電路，其特征在于，所述選通模塊用于根據所述使能信號導通所述適用于高壓的電源穩壓電路，或者，根據所述使能信號關斷所述適用于高壓的電源穩壓電路。

5.根據權利要求2所述的電路，其特征在于，所述反饋電壓模塊包括：第二電阻以及第三電阻；

所述第二電阻的第一端與所述第一NMOS管的源極連接；

所述第二電阻的第二端與所述第二NMOS管的柵極和所述第三電阻的第一端分別連接；

所述第二電阻的第三端與所述邏輯模塊連接；

所述第三電阻的第一端分別與所述第二NMOS管的柵極以及所述第二電阻的第二端連接；

所述第三電阻的第二端接地；

其中，所述第三電阻與所述第二電阻共同作用，產生所述反饋電壓。

6.根據權利要求5所述的電路，其特征在于，所述第一NMOS管的柵極與所述第三NMOS管的漏極和所述第一電阻的第一端分別連接；

所述第一NMOS管的漏極與所述選通模塊和所述第一電阻的第二端分別連接；

所述第一NMOS管的源極與所述第二電阻的第一端連接，所述第一NMOS管的源極電壓即為所述適用于高壓的電源穩壓電路的輸出電壓，所述第一NMOS管還用于根據所述負反饋電壓的大小，調節所述輸出電壓的大小。

7.根據權利要求5所述的電路，其特征在于，所述適用于高壓的電源穩壓電路應用于存儲器中，所述存儲器包括數字電路模塊；

所述數字電路模塊與所述邏輯模塊連接，用于向所述邏輯模塊發送調阻信號，所述調阻信號用于控制所述邏輯模塊的工作狀態。