[發明專利]一種同面陣列電容傳感器的敏感場分析方法在審
| 申請號: | 201910086659.6 | 申請日: | 2019-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN109738494A | 公開(公告)日: | 2019-05-10 |
| 發明(設計)人: | 張玉燕;馬學韜;溫銀堂;王振春;王文魁 | 申請(專利權)人: | 燕山大學 |
| 主分類號: | G01N27/24 | 分類號: | G01N27/24 |
| 代理公司: | 北京君泊知識產權代理有限公司 11496 | 代理人: | 王程遠 |
| 地址: | 066004 河北*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 敏感場 電容傳感器 被測物體 同面 靈敏度矩陣 單元類型 三維模型 電磁場理論 電容成像 劃分方式 三維建模 圖像分析 圖像檢測 圖像重建 重建圖像 傳感器 球體 分層 建模 近場 求解 映射 遠場 分析 重建 | ||
1.一種同面陣列電容傳感器的敏感場分析方法,其特征在于,包括:
1)、對電容傳感器以及被測物體按照傳感器的實際尺寸建立三維模型;
2)、根據電磁場理論,以傳感器電極陣列的中心為中心建立兩個半徑不同的球體,將整個三維模型分為四部分,包括測量區域、近場區域、遠場區域、以及無窮遠;
3)、對被測物體進行單元類型定義,采用三角自由劃分對電容傳感器進行單元劃分,根據單元類型采用映射劃分方式對被測物體進行單元劃分,完成同面陣列電容傳感器以及被測物體敏感場建模;
4)、劃分完畢后在傳感器極板上施加循環的點電壓激勵,并將遠場邊界的電勢設置為0,計算原始節點的電壓值,經轉換后變為節點的電場強度,計算得到敏感場的靈敏度矩陣,并根據靈敏度矩陣進行圖像重建;
5)、根據重建圖像獲取重建質量、穩定性。
2.根據權利要求1所述的同面陣列電容傳感器的敏感場分析方法,其特征在于,所述將整個三維模型分為四部分具體為:被測物體及電容傳感器為檢測區域,小半徑球體內除去檢測區域后的剩余空間為近場區域,大半徑球體與較小半徑球體的中間區域為遠場區域,大半徑球體外部區域設定為無窮遠。
3.根據權利要求1所述的同面陣列電容傳感器的敏感場分析方法,其特征在于,所述采用映射劃分方式對被測物體進行單元劃分具體包括:
3.1、將被測物依深度對敏感場進行單元劃分,深度方向上平均分為若干層,每層的厚度均相同;將靠近電容傳感器的一層定義為第一層,向上依次排列;
3.2、對每一層的敏感場進行獨立求解計算,每層敏感場求解得到一個靈敏度矩陣,得到若干個靈敏度矩陣;
3.3、根據每層的靈敏度矩陣,對被測物體的各層靈敏度進行深度圖像重建;
3.4、在深度圖像重建基礎上,在水平面上對敏感場進行單元劃分,將敏感場的長寬分為n等份并采用映射劃分方法將每層的敏感場分為n2個單元,求解每個單元的靈敏度矩陣值,對被測物體進行圖像重建。
4.根據權利要求3所述的同面陣列電容傳感器的敏感場分析方法,其特征在于,所述對被測物體進行單元類型定義包括:
被測物體的單元類型定義為三維四面體靜電實體單元SOLID123,傳感器以及近場區域的單元類型定義為三維二十節點靜電實體單元SOLID122,遠場區域的單元類型定義為三維遠場單元INFIN111。
5.根據權利要求3所述的同面陣列電容傳感器的敏感場分析方法,其特征在于,所述靈敏度矩陣計算公式為:
式中Si,j(x,y)表示電極對i-j在(x,y)位置處的靈敏度;Ei(x,y)表示對第i號電極施加電壓信號時(x,y)位置處的電場強度;Ej(x,y)表示對第j號電極施加電壓信號時(x,y)位置處的電場強度;p(x,y)表示所求解的敏感場區域;Vi,Vj表示施加在極板上的電壓激勵。
6.根據權利要求3所述的同面陣列電容傳感器的敏感場分析方法,其特征在于,所述靈敏度矩陣的穩定性為:
K(A)=║A║║A-1║
式中A為靈敏度矩陣,函數值K(A)越小,矩陣A的穩定性越好,重建圖像越準確。
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