[發(fā)明專利]可撓式陣列基板及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910086575.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-01-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109712932B | 公開(公告)日: | 2020-11-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡克龍;柯聰盈;陳勇志;王萬倉;劉俊欣 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 友達(dá)光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/77 | 分類號(hào): | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 黃艷 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 可撓式 陣列 及其 制造 方法 | ||
1.一種可撓式陣列基板的制造方法,包含:
形成一第一可撓層于一第一基底;
形成多條第一導(dǎo)線材料層于該第一可撓層上;
分離該第一可撓層與該第一基底使得所述第一導(dǎo)線材料層分別轉(zhuǎn)為多條第一立體導(dǎo)線;
將該第一可撓層以及所述第一立體導(dǎo)線設(shè)置于一第一載板上;
形成一第一絕緣層于所述第一立體導(dǎo)線上;
于該第一絕緣層形成多個(gè)第一接觸洞以連接所述第一立體導(dǎo)線;
形成一第二可撓層于一第二基底;
形成多條第二導(dǎo)線材料層于該第二可撓層上;
分離該第二可撓層與該第二基底使得所述第二導(dǎo)線材料層分別轉(zhuǎn)為多條第二立體導(dǎo)線;
將該第二可撓層設(shè)置于一第二載板;
形成一第二絕緣層于所述第二立體導(dǎo)線上;
于該第二絕緣層形成多個(gè)第二接觸洞分別連接所述第一接觸洞;
接合該第一絕緣層及該第二絕緣層使得所述第一立體導(dǎo)線與所述第二立體導(dǎo)線相對(duì)設(shè)置;
移除該第二載板;
于該第二可撓層形成多個(gè)第三接觸洞以連接所述第二立體導(dǎo)線;
形成一離形層及一主動(dòng)元件陣列于一第三基底上;
接合該主動(dòng)元件陣列及該第二可撓層;以及
移除該第三基底,其中該主動(dòng)元件陣列電性連接對(duì)應(yīng)的該第一立體導(dǎo)線與該第二立體導(dǎo)線。
2.如權(quán)利要求1所述的可撓式陣列基板的制造方法,其中各該第一立體導(dǎo)線具有多個(gè)第一波峰及多個(gè)第一波谷,各該第二立體導(dǎo)線具有多個(gè)第二波峰及多個(gè)第二波谷,所述第一波谷分別對(duì)應(yīng)所述第一接觸洞的位置,所述第二波谷分別對(duì)應(yīng)所述第三接觸洞的位置。
3.如權(quán)利要求1所述的可撓式陣列基板的制造方法,其中各該第一立體導(dǎo)線與各該第二立體導(dǎo)線的耐拉伸應(yīng)變量大于或等于200%,各該第一立體導(dǎo)線與各該第二立體導(dǎo)線的厚度0.1微米至5微米,且各該第一立體導(dǎo)線與各該第二立體導(dǎo)線的線寬為1微米至200微米。
4.如權(quán)利要求1所述的可撓式陣列基板的制造方法,還包含:
于形成所述第三接觸洞的同時(shí),于該第二可撓層形成多個(gè)第四接觸洞分別連接對(duì)應(yīng)的第二接觸洞以及對(duì)應(yīng)的第一接觸洞以構(gòu)成多個(gè)通孔,其中該主動(dòng)元件陣列通過所述通孔分別電性連接于所述第一立體導(dǎo)線;
形成一有機(jī)發(fā)光二極管陣列于該主動(dòng)元件陣列上;以及
分離該第一可撓層以及該第一載板。
5.如權(quán)利要求1所述的可撓式陣列基板的制造方法,其中形成各該第一導(dǎo)線材料層與各該第二導(dǎo)線材料層的方法為噴墨印刷法,且各該第一導(dǎo)線材料層與各該第二導(dǎo)線材料層的材料包含鉬或銀。
6.如權(quán)利要求2所述的可撓式陣列基板的制造方法,其中于形成各該第一導(dǎo)線材料層的步驟前,對(duì)該第一可撓層進(jìn)行一表面處理以形成多個(gè)強(qiáng)接合區(qū)以及至少一弱接合區(qū),各所述強(qiáng)接合區(qū)分別對(duì)應(yīng)所述第一波谷。
7.一種可撓式陣列基板,包含:
一第一可撓層;
多條第一立體導(dǎo)線設(shè)置于該第一可撓層上;
一第一絕緣層設(shè)置于該第一可撓層上,覆蓋所述第一立體導(dǎo)線;
一第二可撓層設(shè)置于該第一絕緣層上;
多條第二立體導(dǎo)線,位于該第二可撓層與該第一絕緣層之間;
一第二絕緣層設(shè)置于該第二可撓層與該第一絕緣層之間;以及
一主動(dòng)元件陣列設(shè)置于該第二可撓層上,且該主動(dòng)元件陣列電性連接對(duì)應(yīng)的該第一立體導(dǎo)線與該第二立體導(dǎo)線,
其中該主動(dòng)元件陣列包含多個(gè)薄膜晶體管,各該薄膜晶體管包含一柵極以及一源極,該可撓式陣列基板還包含一離形層,其中該主動(dòng)元件陣列設(shè)置于該第二可撓層以及該離形層之間,該第一絕緣層具有多個(gè)第一接觸洞,該第二絕緣層具有多個(gè)第二接觸洞,該第二可撓層具有多個(gè)第三接觸洞以及多個(gè)第四接觸洞,其中彼此對(duì)應(yīng)的所述第一接觸洞、所述第二接觸洞以及所述第四接觸洞構(gòu)成多個(gè)通孔,其中各該柵極通過對(duì)應(yīng)的所述通孔電性連接對(duì)應(yīng)的所述第一立體導(dǎo)線,各該源極通過對(duì)應(yīng)的所述第三接觸洞電性連接對(duì)應(yīng)的所述第二立體導(dǎo)線。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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