[發明專利]一種大尺寸低損耗的光纖預制棒及其制備方法在審
| 申請號: | 201910085729.6 | 申請日: | 2019-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN109650712A | 公開(公告)日: | 2019-04-19 |
| 發明(設計)人: | 莫思銘;李想;楊紅蕾;李凡;邵珠峰;周莉 | 申請(專利權)人: | 江蘇永鼎股份有限公司;江蘇永鼎光纖科技有限公司 |
| 主分類號: | C03B37/014 | 分類號: | C03B37/014 |
| 代理公司: | 蘇州知途知識產權代理事務所(普通合伙) 32299 | 代理人: | 馬剛強 |
| 地址: | 215200 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光纖預制棒 低損耗 波長 芯棒 制備 光纖芯棒 衰減系數 純石英 合成 致密 玻璃化處理 工藝制備 脫羥處理 大套管 疏松體 外包層 小套管 預制棒 摻氟 單根 熔縮 衰減 光纖 | ||
1.一種大尺寸低損耗的光纖預制棒的制備方法,其特征在于,步驟如下:
利用VAD工藝制備光纖芯棒,通過沉積噴燈將內包層疏松體的表面溫度達到1000~1100℃,使內包層疏松體的密度大于0.85g/cm3,然后在燒結爐中對芯棒進行脫羥處理、摻氟處理和玻璃化處理,得到光纖芯棒;所述光纖芯棒由內到外依次是芯層和內包層,光纖芯棒的直徑b與芯層直徑a的比值b/a為3.0~5.0;其中,脫羥處理時,燒結爐內通入惰性氣體和氯氣,使燒結爐以9~12℃/min的升溫速率升到900~1050℃,保溫4~5h;摻氟處理時,燒結爐內通入含氟氣體和惰性氣體,使燒結爐以5~8℃/min的升溫速率升到1100~1250℃,保溫1~2h;玻璃化處理時,燒結爐內只通入惰性氣體,然后使燒結爐以8~12℃/min的升溫速率升到1450~1650℃,保溫5~6h;
將一段或多段光纖芯棒插入純石英小套管內,先用含氟氣體將芯棒外表面和小套管內表面進行化學刻蝕,然后將其熔縮到一起,得到合成芯棒,合成芯棒的直徑c與芯層直徑a的比值c/a為7.0~9.0;
將合成芯棒表面用酸性溶液腐蝕,然后將腐蝕后的合成芯棒清洗干燥,將合成芯棒插入純石英大套管中,組合成大尺寸低損耗的光纖預制棒。
2.根據權利要求1所述的大尺寸低損耗的光纖預制棒的制備方法,其特征在于,脫羥處理和摻氟處理時,燒結爐內的合成芯棒以3~8rpm的速度自轉;玻璃化處理時,燒結爐內的光纖芯棒以9~15rpm的速度自轉。
3.根據權利要求1所述的大尺寸低損耗的光纖預制棒的制備方法,其特征在于,所述脫羥處理的氯氣流量為900~1100mL/min,惰性氣體流量為20~40L/min;所述的含氟氣體為SF6、SiF4、CF4、C2F6、C3F8、C2F2Cl2、SOF2中的一種或兩種以上的組合,摻氟處理通入的含氟氣體與惰性氣體流量的比值為3:1~5:1,其中惰性氣體流量為20~40L/min;玻璃化處理的惰性氣體流量為30~50L/min。
4.根據權利要求1所述的大尺寸低損耗的光纖預制棒的制備方法,其特征在于,所述芯層為摻入B2O3的二氧化硅玻璃層,芯層的相對折射率Δni為0.35%~0.45%。
5.根據權利要求1所述的大尺寸低損耗的光纖預制棒的制備方法,其特征在于,所述內包層的相對折射率為Δn1=-0.20%~-0.45%。
6.根據權利要求1所述的大尺寸低損耗的光纖預制棒的制備方法,其特征在于,所述酸性溶液為氫氟酸與鹽酸的混合酸,氟化氫與氯化氫的摩爾比為1:0.5~1.5,對合成芯棒的腐蝕深度不小于0.6mm。
7.根據權利要求1所述的大尺寸低損耗的光纖預制棒的制備方法,其特征在于,將合成芯棒固定在純石英大套管中心,控制合成芯棒和純石英大套管之間的間隙小于3mm。
8.一種由權利要求1-7任一項所述的方法制造的大尺寸低損耗的光纖預制棒。
9.一種低損耗單模光纖,其特征在于,所述光纖由權利要求8所述的大尺寸低損耗的光纖預制棒直接拉絲而成,或經拉伸后再拉絲而成。
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