[發明專利]納米圖案的拼接方法、納米壓印板及光柵

在審

• 申請號: 201910085631.0
• 申請日: 2019-01-29
• 公開（公告）號: CN109613799A
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 黃華;譚偉
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G02B5/18
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;胡影

本發明提供一種納米圖案的拼接方法、納米壓印板及光柵，涉及納米壓印技術領域，所述納米圖案的拼接方法包括：初始壓印步驟：在襯底基板的拼接區域內形成壓印膠層；采用納米壓印母板對所述壓印膠層進行納米壓印，形成納米圖案；超疏水處理步驟：對所述納米圖案進行超疏水表面處理；壓印膠形成步驟：在所述襯底基板上形成另一壓印膠層，所述另一壓印膠層覆蓋與所述拼接區域鄰接的另一拼接區域和部分所述納米圖案；壓印圖案形成步驟：采用所述納米壓印母板對所述另一壓印膠層進行納米壓印，形成新納米圖案；去除步驟：去除所述納米圖案上的所述新納米圖案。從而，本發明能消除拼接重疊區域高段差的問題，解決目前重疊區域高段差導致的剝落問題。

技術領域

本發明涉及納米壓印技術領域，尤其涉及一種納米圖案的拼接方法、納米壓印板及光柵。

背景技術

納米壓印技術已達到5納米(nm)以下的分辨率水平，其具有高分辨率、高產量、高保真度及成本低等優點，在顯示、傳感器及醫療健康等領域具有十分廣泛的應用。

目前，納米壓印母板采用電子束光刻(Electron Beam Lithography，EBL)加工而成，但是EBL具有其固有的缺點：設備昂貴，并且加工速度較慢，要制作大面積的納米壓印母板，成本較高。例如圖形面積為1*1mm，結構尺寸為nm級別的納米壓印母板，通常需要幾小時掃描時間，并售價非常昂貴。對于大面積的納米壓印母板，通常采用重疊式拼接方式，請參考圖1，為了提高拼接精度，需要在納米圖案的拼接位置處形成重疊區域(overlap)11，因而造成較高的拼接段差12，導致出現剝落(Peeling)現象。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種納米圖案的拼接方法、納米壓印板及光柵，用于解決采用重疊式拼接方式進行納米圖案拼接時，納米圖案的拼接位置處形成的重疊區域具有高段差，導致出現剝落現象的問題。

為解決上述技術問題，第一方面，本發明提供一種納米圖案的拼接方法，包括：

初始壓印步驟：在襯底基板的拼接區域內形成壓印膠層；采用納米壓印母板對所述壓印膠層進行納米壓印，形成納米圖案；

超疏水處理步驟：對所述納米圖案進行超疏水表面處理；

壓印膠形成步驟：在所述襯底基板上形成另一壓印膠層，所述另一壓印膠層覆蓋與所述拼接區域鄰接的另一拼接區域和部分所述納米圖案；

壓印圖案形成步驟：采用所述納米壓印母板對所述另一壓印膠層進行納米壓印，形成新納米圖案；

去除步驟：去除所述納米圖案上的所述新納米圖案。

優選的，所述超疏水處理步驟包括：

采用納米二氧化鈦乙醇溶液對所述納米圖案的表面進行處理。

優選的，所述去除步驟包括：

采用超聲波將所述納米圖案上的新納米圖案去除。

優選的，所述超聲波的頻率大于20kHz，且小于或等于40kHz。

優選的，所述采用超聲波將所述納米圖案上的新納米圖案去除的步驟包括：

在溫度為35℃～50℃的環境中，采用超聲波將所述納米圖案上的新納米圖案去除。

優選的，所述去除步驟之后還包括：

拼接步驟：重復執行所述超疏水處理步驟、所述壓印膠形成步驟、所述壓印圖案形成步驟和所述去除步驟，形成拼接納米圖案。

第二方面，本發明還提供一種納米壓印板的制作方法，包括采用上述的納米圖案的拼接方法形成拼接納米圖案的步驟；

所述拼接步驟之后還包括：