[發明專利]一種ITO導電膜制作工藝在審
| 申請號： | 201910083927.9 | 申請日： | 2019-01-29 |
| 公開（公告）號： | CN109811308A | 公開（公告）日： | 2019-05-28 |
| 發明（設計）人： | 肖新煌;張磊 | 申請（專利權）人： | 晟光科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/08 | 分類號： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/02;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京同輝知識產權代理事務所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 張明利 |
| 地址： | 233000 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基材 沉積 冷卻 退火 磁控濺射 制作工藝 放入 磁控濺射設備 透明薄膜基材 運送 超聲波清潔 鍍層表面 基材表面 離子轟擊 樹脂基體 退火處理 再次加熱 靜電 拋光 污漬 抽真空 濺射室 冷卻室 卸載室 氧化層 裝載室 去除 卸片 加熱 密封 制作 | ||
1.一種I TO導電膜制作工藝，其特征在于，包括以下制作步驟：
步驟一：將基材進行超聲波清潔，去除基材表面的氧化層和污漬；
步驟二：將基材放入磁控濺射設備的裝載室，采用離子轟擊透明薄膜基材消除靜電，密封后進行抽真空；
步驟三：樹脂基體加熱到95～100℃后運送至濺射室，采用磁控濺射方式進行第一次沉積，得到第一I TO層后，冷卻至室溫；
步驟四：對第一I TO層鍍層表面進行拋光；
步驟五：將步驟四沉積第一I TO層的基材再次加熱到95～100℃后采用磁控濺射方式進行第二次沉積，得到第二ITO層后，運送至冷卻室冷卻至室溫；
步驟六：步驟五中冷卻后的基材放入卸載室，卸片，獲得ITO導電膜；
步驟七：將步驟六獲得ITO導電膜進行退火處理，退火溫度90～110℃，退火時間20分鐘，獲得一種ITO導電膜。
2.根據權利要求1所述的一種ITO導電膜制作工藝,其特征在于，所述基材厚度30μm～200μm，基材的可見光透過率為93％以上，基材為樹脂基體。
3.根據權利要求1所述的一種ITO導電膜制作工藝,其特征在于，所述第一ITO層鍍層表面表面粗糙度不高于2.5nm。
4.根據權利要求1所述的一種ITO導電膜制作工藝,其特征在于，所述磁控濺射設備所用的氧化銦靶材由重量百分含量為94.5％的氧化銦和重量百分含量為5.5％的氧化錫組成。
5.根據權利要求1所述的一種ITO導電膜制作工藝,其特征在于，所述磁控濺射時采用直流/射頻電源，濺射電壓160～170V，磁場強度1100G～1450G，工藝氣體采用氬氣與氧氣混合氣體，混合氣體中氬氣：氧氣的體積比為2.5:1.2。
6.根據權利要求1所述的一種I TO導電膜制作工藝,其特征在于，所述ITO導電膜檢測數據符合以下標準：面電阻：200～250Ω/m2，面電阻均勻性：MD≤±3％，TD≤±5％，全光線透過率：≥93％，表面硬度(鉛筆硬度)：≥3H。
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