[發明專利]COB攝像頭模組及其封裝方法有效
| 申請號: | 201910083883.X | 申請日: | 2019-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN109830492B | 公開(公告)日: | 2021-05-14 |
| 發明(設計)人: | 蘇建華 | 申請(專利權)人: | 深圳奧攔科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 潘霞 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市前海深港合作區前*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | cob 攝像頭 模組 及其 封裝 方法 | ||
本發明涉及一種COB攝像頭模組及其封裝方法。COB攝像頭模組的封裝方法包括以下步驟:提供COB攝像頭模組,COB攝像頭模組包括感光芯片;及采用化學氣相沉積的方式,在感光芯片的表面形成保護層。其中,保護層的材料為均聚物或共聚物,均聚物選自派瑞林、聚苯乙烯及丙烯酸酯類聚合物中的一種,共聚物為派瑞林單體、苯乙烯單體及丙烯酸酯類單體中的至少兩種單體聚合所形成的共聚物。上述COB攝像頭模組的封裝方法能夠使封裝過程中的雜質粒子不會直接附著在感光芯片上,且除去雜質粒子的過程也不會對感光芯片造成損害。且保護層材料的光學性能好,對COB攝像頭模組的成像質量影響較小。
技術領域
本發明涉及攝像頭模組技術領域,特別是涉及一種COB攝像頭模組及其封裝方法。
背景技術
傳統影像模塊的封裝模式有COB(Chip On Board)和CSP(Chip Scale Package)兩種。CSP封裝的優點在于封裝段由前段制程完成,且CSP芯片由于有玻璃覆蓋,對潔凈度要求較低、良率也較好、制程設備成本低、制程時間短,面臨的挑戰是光線穿透率不佳、價格較貴、高度Z較高、背光穿透鬼影現象。COB制程憑借具有影像質量較佳、封裝成本較低及模組高度較低的優勢,再加上品牌大廠逐漸要求模組廠商需以COB制程組裝出貨,未來COB制程將成為手機攝像頭模組制程發展的一種趨勢。但COB攝像模組中,由于沒有玻璃覆蓋保護,灰塵等雜質粒子將直接粘附在感光芯片上,尺寸大于1個像素的粒子,就可以造成影像上的黑影,且雜質粒子不易清除。傳統方法中,為了提高良率,通常增加感光芯片清潔工序以除去雜質粒子,但此工序通常由人工完成,使用黏膠棒等來移除雜質粒子,容易對感光芯片造成傷害,從而影響成像質量。
發明內容
基于此,有必要提供一種能夠保護感光芯片且對COB攝像頭模組的成像質量影響較小的COB攝像頭模組的封裝方法。
此外還提供一種COB攝像頭模組。
一種COB攝像頭模組的封裝方法,包括以下步驟:
提供COB攝像頭模組,所述COB攝像頭模組包括感光芯片;及
采用化學氣相沉積的方式,在所述感光芯片的表面形成保護層;
其中,所述保護層的材料為均聚物或共聚物,所述均聚物選自派瑞林、聚苯乙烯及丙烯酸酯類聚合物中的一種,所述共聚物為派瑞林單體、苯乙烯單體及丙烯酸酯類單體中的至少兩種單體聚合所形成的共聚物。
在其中一個實施例中,所述保護層的厚度為0.1μm~5.0μm。
在其中一個實施例中,所述丙烯酸酯類單體選自甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯及丙烯酸乙酯中的至少一種。
在其中一個實施例中,所述派瑞林單體選自派瑞林C型單體、派瑞林N型單體、派瑞林D型單體及派瑞林F型單體中的至少一種。
在其中一個實施例中,所述化學氣相沉積的過程中,所述感光芯片的溫度為45℃~100℃。
在其中一個實施例中,所述化學氣相沉積的過程中的原料為所述派瑞林單體、所述苯乙烯單體及所述丙烯酸酯類單體的混合物,其中,在所述原料中,所述派瑞林單體的質量分數為10%~90%,所述苯乙烯單體的質量分數為0.1%~50%,所述丙烯酸酯類單體的質量分數為0.1%~80%。
在其中一個實施例中,所述采用化學氣相沉積的方式,在所述感光芯片的表面形成保護層的步驟之后,還包括:采用氟化碳氣體對所述保護層進行等離子體處理的步驟。
在其中一個實施例中,所述氟化碳氣體選自CF4、C3F8及C4F8中的至少一種。
在其中一個實施例中,所述等離子體處理過程中的功率為100W~500W,等離子體處理的時間為1min~10min。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳奧攔科技有限責任公司,未經深圳奧攔科技有限責任公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910083883.X/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





