[發明專利]高通濾波器

有效

• 申請號: 201910083526.3
• 申請日: 2019-01-29
• 公開（公告）號: CN110391794B
• 公開（公告）日: 2023-07-07
• 發明（設計）人: 金正楷;千成鐘;李炯真
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H03H9/54
• 分類號: H03H9/54
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 王凱霞;武慧南

本發明提供一種高通濾波器，所述高通濾波器包括：第一諧振電路，包括并聯在第一端子與第二端子之間的電感器和電容器；第二諧振電路，包括串聯在所述第一諧振電路的第一端與地之間的電感器和電容器；第三諧振電路，包括串聯在所述第一諧振電路的第二端與所述地之間的電感器和電容器；第四諧振電路，設置在所述第一諧振電路的所述第一端與所述第一端子之間并且包括第一聲波諧振器；以及第五諧振電路，設置在所述第一諧振電路的所述第二端與所述第二端子之間并且包括第二聲波諧振器。由所述第一諧振電路、所述第二諧振電路和所述第三諧振電路分別形成的衰減區域布置在比由所述第四諧振電路和所述第五諧振電路分別形成的衰減區域低的頻率區域中。

本申請要求于2018年4月20日提交到韓國知識產權局的第10-2018-0046358號韓國專利申請的優先權的權益，所述韓國專利申請的全部公開內容出于所有目的通過引用包含于此。

技術領域

下面的描述涉及一種高通濾波器。

背景技術

隨著移動通信裝置、化學和生物裝置等的發展，在這樣的裝置中使用的小的輕量級濾波器、振蕩器、諧振元件、聲波諧振質量傳感器以及其他元件的消耗最近有所增加。

薄膜體聲波諧振器(FBAR)通常用作用于實現小的輕量級濾波器、振蕩器、諧振元件、聲波諧振質量傳感器等的工具。FBAR能夠以最低成本批量生產并可被小型化。FBAR還能夠實現高品質因子(Q)(濾波器的主要特性之一)，并能夠用于微頻帶。具體地講，FBAR能夠實現個人通信服務(PCS)頻帶和數字無繩系統(DCS)頻帶。

發明內容

提供本發明內容來以簡化的形式介紹下面在具體實施方式中進一步描述的選擇的構思。本發明內容不意在確定所要求保護的主題的關鍵特征或必要特征，也不意在用于幫助確定要求保護的主題的范圍。

在一個總體方面，一種高通濾波器包括：第一諧振電路，包括并聯設置在連接第一端子和第二端子的信號線中的電感器和電容器；第二諧振電路，包括串聯設置在所述第一諧振電路的第一端與地之間的電感器和電容器；第三諧振電路，包括串聯設置在所述第一諧振電路的第二端與所述地之間的電感器和電容器；第四諧振電路，設置在所述第一諧振電路的所述第一端與所述第一端子之間，并且包括具有第一諧振頻率和第一反諧振頻率的第一聲波諧振器；以及第五諧振電路，設置在所述第一諧振電路的所述第二端與所述第二端子之間，并且包括具有第二諧振頻率和第二反諧振頻率的第二聲波諧振器，其中，由所述第一諧振電路、所述第二諧振電路和所述第三諧振電路分別形成的衰減區域布置在比由所述第四諧振電路和所述第五諧振電路分別形成的衰減區域低的頻率區域中。

由所述第四諧振電路形成的所述衰減區域可通過所述第一聲波諧振器的諧振頻率來形成，并且由所述第五諧振電路形成的所述衰減區域可通過所述第二聲波諧振器的諧振頻率來形成。

由所述第四諧振電路形成的所述衰減區域可形成在比由所述第五諧振電路形成的所述衰減區域低的頻率區域中。

所述第一諧振頻率可補償所述第二反諧振頻率。

所述第一諧振頻率可在所述第二諧振頻率與所述第二反諧振頻率之間。

所述第一諧振頻率可由下面等式確定：

fr4＝fr5-(fr5-fa5)×a，

其中，fr4是所述第一諧振頻率，fr5是所述第二諧振頻率，fa5是所述第二反諧振頻率，并且a是大于或等于1/4并且小于或等于1/3的值。

所述第一諧振電路、所述第二諧振電路和所述第三諧振電路中的至少一個可補償所述第一反諧振頻率。

所述第一諧振電路、所述第二諧振電路和所述第三諧振電路的諧振頻率中的一個諧振頻率可處于比所述第一反諧振頻率低3％至5％的頻帶中。

所述第一聲波諧振器和所述第二聲波諧振器可以是薄膜體聲波諧振器。