[發(fā)明專利]神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)算系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910083228.4 | 申請日: | 2019-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN109829540B | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 呂杭炳;許曉欣;羅慶;劉明 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號: | G06N3/063 | 分類號: | G06N3/063;G11C11/22 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 周天宇 |
| 地址: | 100029 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 運(yùn)算 系統(tǒng) | ||
本公開提供一種神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)算系統(tǒng),包括:運(yùn)算陣列,包括運(yùn)算單元,各運(yùn)算單元包括:源極端、漏極端和柵極,柵極下方的閾值電壓調(diào)整層,以及源極和漏極區(qū)域之間延伸的溝道區(qū),所述閾值電壓調(diào)整層位于溝道區(qū)上方;運(yùn)算陣列的每列運(yùn)算單元的柵極接在一起,各列用于依據(jù)所述閾值電壓調(diào)整層調(diào)整的閾值電壓以調(diào)整權(quán)值;所述閾值電壓調(diào)整層為鐵電層。本公開的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)算系統(tǒng)機(jī)構(gòu)在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)算后進(jìn)行讀取時的電流值為一恒定值,并行數(shù)不受限制,有利于構(gòu)建超大規(guī)模神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)算領(lǐng)域,進(jìn)一步涉及一種融合存儲和運(yùn)算功能的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)算系統(tǒng)。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)采用1T1C(1Transistor-1Capacitor,1晶體管-1電容器)的存儲單元結(jié)構(gòu),當(dāng)連接至晶體管柵極的字線選通時,晶體管選通,可以從位線上讀取存儲在電容器上的位信息;傳統(tǒng)NAND則采用浮置柵極(floating gate)或者電荷俘獲結(jié)構(gòu);它們一種是實(shí)現(xiàn)動態(tài)隨機(jī)存儲,一種是實(shí)現(xiàn)非易失性存儲,所以說這兩類存儲器的制備工藝差別巨大,無法在一款片上芯片(SOC)里同時集成,因此無法融合兩種存儲器的優(yōu)點(diǎn),使得SOC芯片的存儲容量和計(jì)算性能受到限制。
神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中,傳統(tǒng)的突觸器件兩端憶阻器或三端晶體管模擬實(shí)現(xiàn),突觸器件一般采用并行NOR結(jié)構(gòu)相互連接,在經(jīng)過權(quán)值訓(xùn)練后,采用電流匯聚的方式來完成運(yùn)算。該類結(jié)構(gòu)存在操作電流大,功耗訓(xùn)練功耗大等問題,使并行數(shù)受限。
發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題
有鑒于此,本公開的目的在于提供一種融合性存儲和運(yùn)算兩種功能的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)算系統(tǒng)。
(二)技術(shù)方案
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本公開提供一種神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)算系統(tǒng),其中,包括:
運(yùn)算陣列,包括運(yùn)算單元,各運(yùn)算單元包括:源極端、漏極端和柵極,柵極下方的閾值電壓調(diào)整層,以及源極和漏極區(qū)域之間延伸的溝道區(qū),所述閾值電壓調(diào)整層位于溝道區(qū)上方;
運(yùn)算陣列的每列運(yùn)算單元的柵極接在一起,各列用于依據(jù)所述閾值電壓調(diào)整層調(diào)整的閾值電壓以調(diào)整權(quán)值;
所述閾值電壓調(diào)整層為鐵電層。
在進(jìn)一步的實(shí)施方案中,所述運(yùn)算陣列的每列的柵極用于輸入待運(yùn)算值,所述運(yùn)算陣列的每行的運(yùn)算單元的串接在一起,用于輸出每行的運(yùn)算單元各自運(yùn)算后的輸出值。
在進(jìn)一步的實(shí)施方案中,每行的運(yùn)算單元還串接有求和電路,用于對各單元運(yùn)算結(jié)果進(jìn)行加和形成輸出電壓值。
在進(jìn)一步的實(shí)施方案中,每行的求和電路后端還包括模數(shù)轉(zhuǎn)換電路,用于將各行的輸出電壓值轉(zhuǎn)換為對應(yīng)數(shù)字信號的輸出值。
在進(jìn)一步的實(shí)施方案中,所述鐵電層材料為摻雜的HfOx,ZrOx,PZT,BFO或BST。
在進(jìn)一步的實(shí)施方案中,所述運(yùn)算陣列中的各運(yùn)算單元采用3D堆疊方式構(gòu)成。
在進(jìn)一步的實(shí)施方案中,所述運(yùn)算陣列的每行的運(yùn)算單元的串接在一起,其中,在運(yùn)算陣列的設(shè)定行和設(shè)定列分別輸入電壓,以共同確定位于設(shè)定行和設(shè)定列運(yùn)算單元的閾值電壓。
在進(jìn)一步的實(shí)施方案中,所述施加于各運(yùn)算單元柵極的電壓絕對值配置為大于鐵電層發(fā)生極化翻轉(zhuǎn)的翻轉(zhuǎn)電壓。
在進(jìn)一步的實(shí)施方案中,還包括:控制電路,與所述運(yùn)算陣列電性連接,用于控制運(yùn)算陣列中的權(quán)值寫入,神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)算,和/或神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)算結(jié)果輸出。
在進(jìn)一步的實(shí)施方案中,還包括:讀取電路,用于讀取所述神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)算結(jié)果。
(三)有益效果
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院微電子研究所,未經(jīng)中國科學(xué)院微電子研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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