[發明專利]一種陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201910083050.3
• 申請日: 2019-01-29
• 公開（公告）號: CN109768015B
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 戴超;王志軍
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓平板顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，該制造方法包括以下步驟：

S1：在襯底基板上形成第一金屬層，對第一金屬層進行圖案化形成位于像素區域內的柵極和位于端子區域內的端子柵極；

S2：在第一金屬層上覆蓋并形成柵極絕緣層，接著在柵極絕緣層上覆蓋有源層；

S3：在有源層上涂覆第一光阻，通過多灰階光罩對第一光阻進行曝光和顯影，使第一光阻形成位于柵極上方的第一厚光阻區、位于端子柵極上方的第一無光阻區以及位于第一厚光阻層和第一無光阻區之間的第一薄光阻區；

S4：在所述S3的基礎上進行刻蝕，刻蝕掉第一無光阻區內的有源層和柵極絕緣層，形成位于端子柵極上方的端子接觸孔；

S5：對第一光阻進行灰化，第一薄光阻區被灰化干凈，第一厚光阻區厚度減薄，再進行刻蝕，刻蝕掉除第一厚光阻區覆蓋區域以外的有源層，形成位于柵極上方的半導體層；

S6：剝離殘留的第一光阻；

S7-2：在所述S6的基礎上覆蓋第一透明導電層，再在第一透明導電層上覆蓋第二金屬層；

S8-2：對第二金屬層進行圖案化形成位于像素區域內的源漏極金屬層和位于端子區域內的部分第二金屬層；

S9-2：對第一透明導電層進行圖案化，暴露出溝道區域的半導體層，并將端子區域內的第一透明導電層與像素區域內的第一透明導電層斷開；

S10-2：在所述S9-2的基礎上覆蓋并形成第一無機絕緣層，對第一無機絕緣層進行圖案化形成位于端子柵極上方的第二端子接觸孔；

S11-2：在所述S10-2的基礎上覆蓋第二透明導電層，對第二透明導電層進行圖案化；

所述S5中通過濕法刻蝕掉除第一厚光阻區覆蓋區域以外的有源層；濕法刻蝕所用的刻蝕液包含去除劑，去除劑用于去除暴露的端子柵極被氧化形成的金屬氧化物。

2.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，該制造方法包括以下步驟：

S1：在襯底基板上形成第一金屬層，對第一金屬層進行圖案化形成位于像素區域內的柵極和位于端子區域內的端子柵極；

S2：在第一金屬層上覆蓋并形成柵極絕緣層，接著在柵極絕緣層上覆蓋有源層；

S3：在有源層上涂覆第一光阻，通過多灰階光罩對第一光阻進行曝光和顯影，使第一光阻形成位于柵極上方的第一厚光阻區、位于端子柵極上方的第一無光阻區以及位于第一厚光阻層和第一無光阻區之間的第一薄光阻區；

S4：在所述S3的基礎上進行刻蝕，刻蝕掉第一無光阻區內的有源層和柵極絕緣層，形成位于端子柵極上方的端子接觸孔；

S5：對第一光阻進行灰化，第一薄光阻區被灰化干凈，第一厚光阻區厚度減薄，再進行刻蝕，刻蝕掉除第一厚光阻區覆蓋區域以外的有源層，形成位于柵極上方的半導體層；

S6：剝離殘留的第一光阻；

S7-3：在所述S6的基礎上覆蓋第一透明導電層，再在第一透明導電層上覆蓋第二金屬層；在第二金屬層上涂覆第二光阻，通過多灰階光罩對第二光阻進行曝光和顯影，使第二光阻在像素區域內形成位于溝道區域上方的第二無光阻區、位于該第二無光阻兩側的第二厚光阻區、位于非薄膜晶體管區域上方的第二薄光阻區，在端子區域內形成位于端子柵極上方的第二厚光阻區、位于該第二厚光阻區兩側的第二無光阻區；

S8-3：在所述S7-3的基礎上進行刻蝕，刻蝕掉像素區域和端子區域第二無光阻區內暴露的第二金屬層和第一透明導電層；形成像素區域內暴露的薄膜晶體管溝道，并將端子區域內的第二金屬層和第一透明導電層與像素區域內的第二金屬層和第一透明導電層斷開；

S9-3：對第二光阻進行灰化，第二薄光阻區被灰化干凈，第二厚光阻區厚度減薄；

S10-3：在所述S9-3的基礎上進行刻蝕，刻蝕掉像素區域內非薄膜晶體管區域的第二金屬層，形成像素區域內的源漏極金屬層和位于端子區域內的部分第二金屬層；

S11-3：剝離殘留的第二光阻，覆蓋第一無機絕緣層，對第一無機絕緣層進行圖案化形成位于端子柵極上方的第三端子接觸孔；

S12-3：在所述S11-3的基礎上覆蓋第二透明導電層，對第二透明導電層進行圖案化；

所述S5中通過濕法刻蝕掉除第一厚光阻區覆蓋區域以外的有源層；濕法刻蝕所用的刻蝕液包含去除劑，去除劑用于去除暴露的端子柵極被氧化形成的金屬氧化物；

所述S8-3中通過濕法刻蝕同時刻蝕溝道區域和端子區域內暴露的第二金屬層和第一透明導電層。