[發明專利]一種石墨烯/碳化硅納米線復式結構熱界面材料有效
| 申請號： | 201910082934.7 | 申請日： | 2019-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN111484832B | 公開（公告）日： | 2021-06-22 |
| 發明（設計）人： | 代文;譚雪;林正得;江南;呂樂;顏慶偉 | 申請（專利權）人： | 中國科學院寧波材料技術與工程研究所 |
| 主分類號： | C09K5/14 | 分類號： | C09K5/14 |
| 代理公司： | 北京元周律知識產權代理有限公司 11540 | 代理人： | 王惠 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 石墨 碳化硅 納米 復式 結構 界面 材料 | ||
1.一種石墨烯/碳化硅納米線復式結構熱界面材料的制備方法，其特征在于，采用高頻加熱方法，使碳化硅納米線原位生長于石墨烯的片層間，即可得到所述熱界面材料；
所述方法至少包括以下步驟：
對含有二氧化硅納米顆粒修飾的氧化石墨烯和石墨烯的薄膜進行高頻電場加熱處理，即可得到所述熱界面材料；
所述熱界面材料，包括石墨烯片和碳化硅納米線，所述石墨烯片與所述碳化硅納米線相互交錯；
所述二氧化硅納米顆粒修飾的氧化石墨烯采用包含以下步驟的方法制備得到：
將含有氧化石墨烯的分散液與硅酸烷基酯和堿性物質混合，經超聲，即可得到所述二氧化硅納米顆粒修飾的氧化石墨烯；
所述硅酸烷基酯選自具有式I所示結構式的化合物中的至少一種：
式I
其中，R1、R2、R3、R4獨立的選自C1~C5的烷基；
所述堿性物質選自有機胺和/或氨水；
所述氧化石墨烯與所述硅酸烷基酯的比例為：
氧化石墨烯的質量：所述硅酸烷基酯的體積=200~300：1g/L；
所述二氧化硅納米顆粒修飾的氧化石墨烯與石墨烯的質量比為1：5~15；
對所述含有二氧化硅納米顆粒修飾的氧化石墨烯和石墨烯的薄膜進行高頻電場加熱處理后，還包括對所述薄膜進行加壓處理，即可得到所述熱界面材料。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述碳化硅納米線的寬度為20~500nm。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述熱界面材料的面外熱導率高于10W·m-1K-1。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述高頻加熱的溫度為1000~1600℃，所述高頻加熱的時間為1~10min。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述高頻加熱的溫度為1300~1500℃，所述高頻加熱的時間為2~6min。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述高頻加熱的頻率為30~300kHz。
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