[發(fā)明專利]具有低工作電流的電壓基準(zhǔn)和啟動(dòng)電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910082714.4 | 申請日: | 2019-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN110096092A | 公開(公告)日: | 2019-08-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | A·達(dá)施特斯塔尼;A·安德森 | 申請(專利權(quán))人: | 恩智浦美國有限公司 |
| 主分類號: | G05F3/26 | 分類號: | G05F3/26 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 張小穩(wěn) |
| 地址: | 美國得*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電流電極 晶體管 控制電極 電壓基準(zhǔn)電路 啟動(dòng)電路 低工作電流 電壓基準(zhǔn) 電源電壓 接地 晶體管截止 剩余電流 漏電流 并聯(lián) 施加 | ||
1.一種用于電壓基準(zhǔn)電路的啟動(dòng)電路,其特征在于,所述啟動(dòng)電路包括:
第一晶體管,其具有聯(lián)接到所述電壓基準(zhǔn)電路的第一電流電極、控制電極、和聯(lián)接到接地端的第二電流電極;
第二晶體管,其具有都聯(lián)接到電源電壓端的第一電流電極和控制電極、和第二電流電極;和
第三晶體管,其具有聯(lián)接到所述第二晶體管的所述第二電流電極并聯(lián)接到所述第一晶體管的所述控制電極的第一電流電極、聯(lián)接到所述電壓基準(zhǔn)電路的控制電極、和聯(lián)接到所述接地端的第二電流電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的啟動(dòng)電路,其特征在于,所述電壓基準(zhǔn)電路基于硅帶隙提供基準(zhǔn)電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的啟動(dòng)電路,其特征在于,所述第二晶體管被表征為P溝道晶體管,并且其中,在向所述電源電壓端施加電源電壓期間,所述P溝道晶體管保持基本上是非導(dǎo)通的,使得所述第一晶體管的所述控制電極處的偏置電壓由通過所述第二晶體管的漏電流提供。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的啟動(dòng)電路,其特征在于,所述第一和第三晶體管被表征為N溝道晶體管,并且所述第二晶體管被表征為P溝道晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的啟動(dòng)電路,其特征在于,所述電壓基準(zhǔn)電路包括電流鏡,并且其中,所述第一晶體管的所述第一電流電極聯(lián)接到所述電流鏡,以確保當(dāng)向所述電源電壓端提供電源電壓時(shí),所述電流鏡被偏置為導(dǎo)通。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的啟動(dòng)電路,其特征在于,所述電壓基準(zhǔn)電路包括:
第一P溝道晶體管,其具有聯(lián)接到所述電源電壓端的源極、聯(lián)接到所述第一晶體管的所述第一電流電極的柵極、和漏極;
第二P溝道晶體管,其具有聯(lián)接到所述電源電壓端的源極、都聯(lián)接到所述第一P溝道晶體管的所述柵極的柵極和漏極;
第一N溝道晶體管,其具有都聯(lián)接到所述第一P溝道晶體管的所述漏極的漏極和柵極、和聯(lián)接到所述接地端的源極;和
第二N溝道晶體管,其具有聯(lián)接到所述第二P溝道晶體管的所述漏極的漏極、聯(lián)接到所述第一N溝道晶體管的所述柵極的柵極、和聯(lián)接到所述接地端的源極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的啟動(dòng)電路,其特征在于,當(dāng)向所述電源電壓端施加電源電壓時(shí),所述第一電流電極和所述控制電極之間的電壓差基本上為零伏。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的啟動(dòng)電路,其特征在于,所述第二晶體管大于所述第三晶體管,并且其中,通過所述第二晶體管的漏電流包括亞閾值電流。
9.一種電路,其特征在于,其包括:
電壓基準(zhǔn)電路;和
啟動(dòng)電路,所述啟動(dòng)電路包括:
第一N溝道晶體管,其具有聯(lián)接到所述電壓基準(zhǔn)電路的漏極、柵極和聯(lián)接到接地端的源極;
反向偏置PN結(jié),其具有聯(lián)接到電源電壓端的第一端、和聯(lián)接到所述第一N溝道晶體管的所述柵極的第二端;和
第二N溝道晶體管,其具有聯(lián)接到所述PN結(jié)的所述第二端的漏極、聯(lián)接到所述電壓基準(zhǔn)電路的柵極、和聯(lián)接到所述接地端的源極,
其中,在向所述電源電壓端施加電源電壓期間,所述第一N溝道晶體管的所述柵極處的電壓由通過所述反向偏置PN結(jié)的漏電流提供。
10.一種電路,其特征在于,其包括:
電壓基準(zhǔn)電路,其包括:
第一P溝道晶體管,其具有聯(lián)接到所述電源電壓端的源極、柵極和漏極;
第二P溝道晶體管,其具有聯(lián)接到所述電源電壓端的源極、都聯(lián)接到所述第一P溝道晶體管的所述柵極的柵極和漏極;
第一N溝道晶體管,其具有都聯(lián)接到所述第一P溝道晶體管的所述漏極的漏極和柵極、和聯(lián)接到接地端的源極;和
第二N溝道晶體管,其具有聯(lián)接到所述第二P溝道晶體管的所述漏極的漏極、聯(lián)接到所述第一N溝道晶體管的所述柵極的柵極、和聯(lián)接到所述接地端的源極;和
啟動(dòng)電路,其包括:
第三N溝道晶體管,其具有聯(lián)接到所述第一和第二P溝道晶體管的所述柵極的漏極、柵極和聯(lián)接到所述接地端的源極;
第三P溝道晶體管,其具有聯(lián)接到所述電源電壓端的源極、柵極、和聯(lián)接到所述第三N溝道晶體管的所述柵極的漏極,其中,在向所述電源電壓端施加電源電壓期間,所述第三P溝道晶體管的柵極-源極電壓基本上為零伏;和
第四N溝道晶體管,其具有聯(lián)接到所述第三P溝道晶體管的所述漏極的漏極、聯(lián)接到所述第一P溝道晶體管的所述漏極的柵極、和聯(lián)接到所述接地端的源極。
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