[發明專利]一種鹽堿地水稻大棚育苗方法

在審

• 申請號: 201910082029.1
• 申請日: 2019-01-28
• 公開（公告）號: CN109845603A
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 朱德峰;張茂林;周紅
• 申請（專利權）人: 中國水稻研究所;東營市一邦農業科技開發有限公司
• 主分類號: A01G22/22
• 分類號: A01G22/22
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246
• 代理人: 苗艷榮

1.一種鹽堿地水稻大棚育苗方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)選擇離地面40厘米以上的高臺地為大棚育秧地；

2)在大棚苗床中鋪設排鹽管道，排鹽管道直徑10厘米，管道上部有排水孔，排鹽管道與大棚外的排鹽溝相通；

3)春季降雨時，將大棚薄膜揭開，讓雨水進入大棚土壤淋洗土壤，減低大棚土壤耐鹽量；

4)采用適于鹽堿地施用的基質育秧，減低秧盤播種量，增強秧苗耐鹽能力；

5)采用高溫出苗技術，縮短秧盆種子出苗時間；

6)在育秧期間，控制秧苗澆水量，減少秧盤水分蒸發量。

2.根據權利要求1所述的一種鹽堿地水稻大棚育苗方法，其特征在于，步驟(5)具體為：

a.在各育秧盤中加入底土或基質，底土或基質高于育秧盤的矩形框的邊框高度的2/3并距育秧盤的邊框頂部有5-8mm距離，該距離對應著種子厚加種子出苗高度之和的高度；

b.將定量的種子按條播或點播或撒播的方式，用手工或機具播于育秧盤的底土或基質上，種子需要經過浸種催芽露白；播種后覆蓋頂土或基質，以不見種子為度，頂土或基質的厚度在5-8mm之間，蓋沒種子；覆蓋頂土或基質后，頂土或基質上表面距育秧盤的邊框頂部有1-2mm距離，該距離應大于育秧盤底板下部的筋條高度和種子出苗高度中較高的那個高度之和；在覆蓋頂土后或加入底土后通過上部的噴淋或下部的浸滲以及其他的加水方式，使育秧盤中的育秧物處于濕潤飽和狀態，達到土壤或基質飽和水分的90％或以上；

c.將播種后的育秧盤按20-25張秧盤數量疊放在一起，疊放的育秧盤的底板下部邊框形式的筋條嵌入到育秧盤的邊框內側中，使育秧盤的內部形成一個密閉的暗環境，疊放后上盤的底與下盤的頂土或基質表面有可供種子發芽出苗的空間；

d.將播種后疊放的育秧盤置于25-35攝氏度的溫度和95％以上濕度的暗環境下，48小時后出苗，芽長度達到5mm后外移擺放，將出苗的育秧盤移到田間或大棚平鋪放在育秧池或立體育秧架上，在有光照的環境進行綠化育秧，直至達到機插秧用秧苗的條件。