[發(fā)明專利]一種提高動(dòng)態(tài)范圍的像素結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)方式有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910080941.3 | 申請(qǐng)日： | 2019-01-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109819183B | 公開（公告）日： | 2020-12-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 高靜;龔雨琛;徐江濤;聶凱明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 天津大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H04N5/355 | 分類號(hào)： | H04N5/355;H04N5/374;H04N5/235 |
| 代理公司： | 天津市三利專利商標(biāo)代理有限公司 12107 | 代理人： | 韓新城 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提高 動(dòng)態(tài) 范圍 像素 結(jié)構(gòu) 驅(qū)動(dòng) 方式 | ||
1.一種提高動(dòng)態(tài)范圍的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括六個(gè)N型MOS管，其中，N型MOS管M1為像素傳輸管，N型MOS管M2與N型MOS管M3為開關(guān)管，N型MOS管M4為FD節(jié)點(diǎn)的復(fù)位管，N型MOS管M5為源級(jí)跟隨器，N型MOS管M6為像素選通管；N型MOS管M1的源端接光電二極管PPD、漏端接FD節(jié)點(diǎn)和N型MOS管M5的柵極；N型MOS管M2與N型MOS管M3源端接N型MOS管M1柵極，N型MOS管M3漏端接電源Vramp，N型MOS管M2的漏端接控制信號(hào)TX，N型MOS管M2與N型MOS管M3柵極分別接開關(guān)SW1、SW2；N型MOS管M4的源端接FD節(jié)點(diǎn)、漏端接電源電壓VDD；N型MOS管M5的漏端接電源VDD，源端接N型MOS管M6的漏端。
2.如權(quán)利要求1所述提高動(dòng)態(tài)范圍的像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)方式，其特征在于，在積分過程中，N型MOS管M3選通，N型MOS管M2斷開，電源Vramp由高變低；
在復(fù)位與讀出階段，N型MOS管M2選通，N型MOS管M3斷開；讀出階段，N型MOS管M6導(dǎo)通選中像素，首先N型MOS管M4導(dǎo)通，置空FD中的電荷，讀出復(fù)位電壓，之后N型MOS管M1選通，使PPD中電荷轉(zhuǎn)移到FD中，讀出信號(hào)電壓，讀出完成后，N型MOS管M1、N型MOS管M4同時(shí)選通，進(jìn)行復(fù)位。
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