[發(fā)明專利]一種適用于超大規(guī)模原子層沉積的給料系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910080557.3 | 申請日: | 2019-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN109536927B | 公開(公告)日: | 2023-08-01 |
| 發(fā)明(設計)人: | 董仲 | 申請(專利權)人: | 南京愛通智能科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 南京先科專利代理事務所(普通合伙) 32285 | 代理人: | 孫甫臣 |
| 地址: | 210000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 適用于 超大規(guī)模 原子 沉積 系統(tǒng) | ||
本發(fā)明公開一種適用于超大規(guī)模原子層沉積的給料系統(tǒng),包括硅片載具以及夾持所述硅片載具的第一端蓋法蘭和第二端蓋法蘭;所述第一端蓋法蘭和第二端蓋法蘭通過若干根垂直穿過第一端蓋法蘭和第二端蓋法蘭的軸連接形成整體,軸的其中一端穿過所述第一端蓋法蘭,與第二端蓋法蘭連接;軸的另一端伸出第一端蓋法蘭,且伸出部分上套設有一彈簧,伸出端的端部設置軸蓋,將所述彈簧限制在軸的伸出端。本發(fā)明中硅片載具作為內腔室的一部分,極大的減少了其自重,轉運輕便,同時此給料系統(tǒng)載具直接受熱,可明顯提高加熱速率、縮短加熱時間,熱量利用率高。
技術領域
本發(fā)明屬于半導體制造領域,具體涉及光伏電池制造領域,將原子層沉積(ALD)技術應用到光伏領域,生產超大規(guī)模產品的設備。
背景技術
隨著光伏產業(yè)的規(guī)模化和光伏技術的迅速發(fā)展,ALD技術,即原子層沉積技術成為光伏產品降本增效的有效途徑。原子層沉積技術就是將產品暴露在兩種或兩種以上前驅體氣體中進行鍍膜,通常的ALD設備將鍍膜腔室分離為物料腔室(內腔室)和真空腔室(外腔室),物料腔室可以從主設備脫離進行裝料,裝好產品后物料腔室再運到真空腔中。
內腔室是主要由進氣口、出氣口和物料口組成的方形腔室。此結構存在以下缺點:物料腔室自重很大,不利于轉運;質量大熱容量也就大,不利于熱量利用并增加了產品加熱時間;物料口在上方裝卸料不方便;蓋門笨重也不利于裝卸料;進氣無勻流裝置,易產生粉塵。
發(fā)明內容
發(fā)明目的:本發(fā)明目的在于針對現有技術的不足,提供一種適用于超大規(guī)模原子層沉積的給料系統(tǒng),最大限度的減輕了其自重有利于其轉運;更重要的是其熱容量低有利于提供熱量利用率,并提高產品加熱速度。
技術方案:本發(fā)明所述適用于超大規(guī)模原子層沉積的給料系統(tǒng),包括硅片載具以及夾持所述硅片載具的第一端蓋法蘭和第二端蓋法蘭;
所述第一端蓋法蘭和第二端蓋法蘭通過若干根垂直穿過第一端蓋法蘭和第二端蓋法蘭的軸連接形成整體,軸的其中一端穿過所述第一端蓋法蘭,與第二端蓋法蘭連接;軸的另一端伸出第一端蓋法蘭,且伸出部分上套設有一彈簧,伸出端的端部設置軸蓋,將所述彈簧限制在軸的伸出端。
本發(fā)明進一步優(yōu)選地技術方案為,所述第一端蓋法蘭為勻流裝置,所述第二端蓋法蘭為抽氣法蘭。
作為優(yōu)選地,所述勻流裝置包括通入前驅體氣體的流通管道,該流通管道的進氣端端面上開設有若干進氣孔,出氣端端面分隔為數量與進氣孔數量相匹配的出氣孔,出氣孔與所述硅片載具所在空間連通,流通管道的內腔分隔為數量與出氣孔數量一致的獨立流道;每個出氣孔與相對應的一個或多個進氣孔通過位于流通管道內的對應獨立流道相連通,各獨立流道呈“喇叭狀”,由進氣孔側向出氣孔側,內徑逐漸增大。
優(yōu)選地,所述抽氣法蘭的外側設置有抽氣口,該抽氣口與尾氣系統(tǒng)對接。
優(yōu)選地,所述軸為四根,四根軸分別位于所述第一端蓋法蘭和第二端蓋法蘭的四角位置。
優(yōu)選地,所述彈簧為耐高溫彈簧。
優(yōu)選地,所述硅片載具包括若干組并列排布的載具組,每組所述載具組由多個載具組成,所述載具包括兩底板和兩側板圍成的載具框架,同組載具組內的各載具的底板和側板首尾相接,圍成中空的柱狀結構;
每個載具的兩側板相對側上由上至下均布有若干齒槽,兩側板上的齒槽一一對應,且相對應的兩齒位于同一平面,兩側板上相對應的兩齒槽承載兩片晶圓,兩片晶圓的待鍍膜一側側向外,另一側相互貼合;同組載具組內的各載具上同位置的兩晶圓拼接形成整體,該位置晶圓上下的空間分別連通形成氣流通道。
有益效果:(1)本發(fā)明的給料系統(tǒng)在取料時,外力壓縮彈簧,第一端蓋法蘭和第二端蓋法蘭之間間距增大,硅片載具可從下方或上方取出脫離系統(tǒng),在給料時硅片載具被彈簧加緊成為內腔室的構成部分;本發(fā)明中硅片載具作為內腔室的一部分,極大的減少了其自重,轉運輕便,同時此給料系統(tǒng)載具直接受熱,可明顯提高加熱速率、縮短加熱時間,熱量利用率高;
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





