[發明專利]用于分離混合電池片的方法在審
| 申請號: | 201910080383.0 | 申請日: | 2019-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN109801864A | 公開(公告)日: | 2019-05-24 |
| 發明(設計)人: | 張磊;何航;何悅;王在發;任勇;周東;李增彪 | 申請(專利權)人: | 尚德太陽能電力有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L31/18;B07C5/344 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王潔;鄭暄 |
| 地址: | 201114 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電池片 混合電池 摻硼 分檔 電注入 預設 入庫 退火處理 有效分離 測試機 分選 明暗 電池 | ||
本發明提供了一種用于分離混合電池片的方法,所述的混合電池片包括摻硼電池片和摻鎵電池片,所述的方法包括步驟:(1)將所述的混合片進行第一電注入處理或暗退火處理;(2)將處理后的混合電池片經分選測試機分檔;若電池片的分檔效率高于預設值,則該電池片按摻鎵電池片入庫;若電池片的分檔效率低于預設值,則將該電池片經第二電注入處理后按摻硼電池片入庫。采用了該發明中的用于分離混合電池片的方法,能夠批量分離摻硼及摻鎵的混合PERC電池片,能有效分離B?Ga混合片,為PERC生產線挽回損失,大大提升PERC電池可靠性,降低組件端明暗風險。
技術領域
本發明涉及太陽能電池片技術領域,尤其涉及一種用于分離混合電池片的方法。
背景技術
PERC電池已成為光伏電池里主流產品,高效PERC電池光衰始終是行業關注重點,實際生產過程中,電池端來料或產線制程會涉及摻硼(B)及摻鎵(Ga)兩種硅片互混;摻GaPERC電池幾乎沒有衰減,摻B PERC電池片由于有B-O復合缺陷,初始光衰高達5%~10%,組件端會體現出嚴重明暗片及CTM(Cell To Moduel)偏低問題,因此,摻B PERC片必須經過抗LID設備處理。
電注入是抗LID方式里常用手段之一,PERC摻B及摻Ga電注入條件溫度窗口不一致,摻Ga需要高溫(190℃~230℃)處理,摻B處理溫度相對偏低,兩種摻雜類型的PERC電池電注入處理條件無法兼容。
一旦PERC產線中摻B、摻Ga硅片互混,若混合片源用高溫電注入條件處理,摻B片效率提升幅度0.4(亞穩態B-O-H比重增加),光焊后效率嚴重衰減,在組件端都會有明暗和CTM問題;若混合片源用低溫電注入條件處理,摻Ga片由于沒有足夠能量進行缺陷修復,電池測試端效率相比電注入前衰減0.5,產線無法正常量產。
以上任何一種方案可能因為明暗及CTM異常被客訴,效益嚴重受損導致停線。因此,需要找到一種方式有效分離出摻硼和摻鎵PERC電池片,在不損失效率的前提下,對分離出的兩種電池片用不同的電注入工藝處理,確保電池端效率和組件端明暗及CTM正常。
發明內容
本發明的目的是克服了上述現有技術的缺點,提供了一種能有效分離B-Ga混合片、為PERC生產線挽回損失、大大提升PERC電池可靠性、降低組件端明暗風險的用于分離混合電池片的方法。
為了實現上述目的,本發明的用于分離混合電池片的方法,其主要特點是,所述的混合電池片包括摻硼電池片和摻鎵電池片,所述的方法包括步驟:
(1)將所述的混合片進行第一電注入處理或暗退火處理;
(2)將處理后的混合電池片經分選測試機分檔;
若電池片的分檔效率高于預設值,則該電池片按摻鎵電池片入庫;
若電池片的分檔效率低于預設值,則將該電池片經第二電注入處理后按摻硼電池片入庫。
較佳地,所述的第一電注入處理的設備為CID設備,條件為:0.8~1.2A,90~120℃,2~5h。
較佳地,所述的暗退火處理的設備為烘箱,條件為:180~300℃,3~8h。
較佳地,所述的第二電注入處理的條件為:6.5~8A,160~200℃,690~990s。
較佳地,所述的混合電池片為燒結下料后的電池片、電注入后PERC電池片或包括摻硼電池片和摻鎵電池片的外源來料。
較佳地,所述的預設值為21.1。
較佳地,若電池片的分檔效率低于預設值,則將該電池片經第二電注入處理后,再進行分檔測試,按各檔位摻硼電池片入庫。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





