[發(fā)明專利]可見光通信器件及其制作方法、可見光通信系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910078727.4 | 申請日: | 2019-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN109801937A | 公開(公告)日: | 2019-05-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 薛大鵬 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H04B10/116 |
| 代理公司: | 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王偉鋒;劉鐵生 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 可見光通信 可見光通信系統(tǒng) 光電轉換組件 發(fā)光組件 結構層 基板 發(fā)出光信號 光信號轉換 節(jié)約空間 雙向通信 一體集成 預設距離 接收光 布控 漏極 源極 制作 靈活 | ||
1.一種可見光通信器件,其特征在于,其包括:
基板和一體集成在所述基板上的TFT結構層、光電轉換組件以及發(fā)光組件;
其中,所述光電轉換組件設置在所述TFT結構層的源極或者漏極上,用于接收光信號并將接收的光信號轉換成電信號;所述發(fā)光組件用于發(fā)出光信號。
2.根據(jù)權利要求1所述的可見光通信器件,其特征在于,
所述光電轉換組件的接收端的朝向與所述發(fā)光組件的發(fā)光端的朝向相同。
3.根據(jù)權利要求1所述的可見光通信器件,其特征在于,
所述光電轉換組件包括光電二極管和透明導電層,所述光電二極管設置在所述源極或者漏極上,所述透明導電層設置在所述光電二極管上。
4.根據(jù)權利要求1所述的可見光通信器件,其特征在于,還包括:
緩沖層,所述緩沖層設置在所述TFT結構層的柵極層和所述基板之間。
5.根據(jù)權利要求1所述的可見光通信器件,其特征在于,還包括:
平坦化層,所述平坦化層覆蓋在所述TFT結構層和所述光電轉換組件上;
所述發(fā)光組件設置有連接電極,所述發(fā)光組件的連接電極設置在所述平坦層上。
6.根據(jù)權利要求5所述的可見光通信器件,其特征在于,還包括:
保護層,所述保護層設置在所述平坦化層上,將所述發(fā)光組件的連接電極的一周包裹,并將所述發(fā)光組件的連接電極的連接端顯露。
7.根據(jù)權利要求6所述的可見光通信器件,其特征在于,還包括:
反射層,所述反射層設置在所述保護層上,圍繞在所述發(fā)光組件的一周。
8.根據(jù)權利要求1所述的可見光通信器件,其特征在于,
所述發(fā)光組件為LED燈。
9.一種可見光通信器件的制作方法,其特征在于,包括:
在基板上制作TFT結構層;
在TFT結構層的源極或者漏極上制作光電轉換組件;
在所述TFT結構層以及所述光電轉換組件上制作平坦化層,并在平坦化層上距離所述光電轉換組件預設距離的位置制作發(fā)光組件。
10.根據(jù)權利要求9所述的可見光通信器件的制作方法,其特征在于,所述在TFT結構層的源極或者漏極上制作光電轉換組件的方法包括:
在所述TFT結構層的源極或者漏極上依次制作光電二極管和透明導電層,并將所述光電二極管和透明導電層圖案化。
11.根據(jù)權利要求9所述的可見光通信器件的制作方法,其特征在于,
先在基板制作一層緩沖層,之后在所述緩沖層上制作TFT結構層。
12.根據(jù)權利要求10所述的可見光通信器件的制作方法,其特征在于,在平坦化層上制作發(fā)光組件的方法包括:
在平坦化層上制作發(fā)光組件的兩個連接電極,并將所述連接電極圖案化;
在平坦化層和兩個所述連接電極上制作保護層,并在保護層上與兩個所述連接電極相對應的位置制作連接通孔。
13.根據(jù)權利要求12所述的可見光通信器件的制作方法,其特征在于,
在保護層上制作反射層,并使反射層將兩個所述連接通孔圍繞;
保護層制作完成之后在兩個所述連接電極上轉印LED燈。
14.一種可見光通信系統(tǒng),其特征在于,包括:
至少兩個如權利要求1-8中任一所述可見光通信器件;
其中,所述可見光通信器件兩兩相對設置,相對設置的兩個所述可見光通信器件中,一個可見光通信器件的光電轉換組件與另一個可見光通信器件的發(fā)光組件相對,一個可見光通信器件的發(fā)光組件與另一個可見光通信器件的光電轉換組件相對,組成雙向通信通道。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





