[發明專利]一種多晶SnSe基熱電材料的制備方法有效
| 申請號： | 201910077113.4 | 申請日： | 2019-01-27 |
| 公開（公告）號： | CN111490148B | 公開（公告）日： | 2022-09-23 |
| 發明（設計）人： | 張家華;徐靜濤;蔣俊;樂松;江浩川 | 申請（專利權）人： | 中國科學院寧波材料技術與工程研究所 |
| 主分類號： | H01L35/16 | 分類號： | H01L35/16;H01L35/34 |
| 代理公司： | 寧波元為知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 33291 | 代理人： | 單英 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多晶 snse 熱電 材料 制備 方法 | ||
1.一種具有高取向度以及良好的熱電性能的多晶SnSe基熱電材料的制備方法，包括如下步驟：
按照SnSe基熱電材料的化學計量配置原料；
熔煉原料得到SnSe基多晶鑄錠；
將SnSe基多晶鑄錠球磨為粉體后進行熱壓燒結，得到塊材；
其特征是：SnSe基多晶鑄錠球磨過程中加入燒結助劑進行混合球磨；
所述燒結助劑是Te、Se、Pb、Br、Sn、Sb、Bi中的至少一種；并且，所述燒結助劑質量占所述SnSe基多晶鑄錠質量的5%～50%；
熱壓燒結過程中，升溫速率為3℃/min～30℃/min，加壓速率為1Mpa/min～30Mpa/min；
制得的多晶SnSe基熱電材料的晶粒取向度大于或者等于0.4，在750K-800K的熱電優值高于0.5。
2.如權利要求1所述的多晶SnSe基熱電材料的制備方法，其特征是：所述SnSe基熱電材料的化學結構式為MxSn1-xSe，其中，M為Na、Ag、Pb、Cu、Mn、K、Zn、In、Bi和Sb中的至少一種，0≤x≤0.5。
3.如權利要求1所述的多晶SnSe基熱電材料的制備方法，其特征是：所述粉體粒徑范圍為0.5μm～500μm。
4.如權利要求1所述的多晶SnSe基熱電材料的制備方法，其特征是：熔煉過程為：將所述原料真空封管裝于石英管中，將石英管置于熔煉爐中，升溫熔煉原料，熔煉完畢后自然冷卻石英管至室溫，得到SnSe基多晶鑄錠。
5.如權利要求1所述的多晶SnSe基熱電材料的制備方法，其特征是：將原料裝于石英管中，抽真空至小于或者等于5Pa后密封。
6.如權利要求1所述的多晶SnSe基熱電材料的制備方法，其特征是：熔煉爐為高溫燒結爐，熔煉過程中石英管搖擺，使原料均勻混合。
7.如權利要求1所述的多晶SnSe基熱電材料的制備方法，其特征是：熔煉過程中，升溫至850℃～1000℃。
8.如權利要求1所述的多晶SnSe基熱電材料的制備方法，其特征是：所述熱壓過程為：將粉體放入模具中，將模具置于真空熱壓燒結爐中，抽真空至不高于10Pa進行熱壓。
9.如權利要求1所述的多晶SnSe基熱電材料的制備方法，其特征是：熱壓燒結溫度為350℃～550℃，壓力為50Mpa～80Mpa。
10.如權利要求1所述的多晶SnSe基熱電材料的制備方法，其特征是：熱壓燒結過程中，保溫保壓時間為10min～20min。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院寧波材料技術與工程研究所，未經中國科學院寧波材料技術與工程研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910077113.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
