[發明專利]一種基于不規則子陣的緊耦合超寬帶天線陣列的構建方法有效
| 申請號: | 201910074056.4 | 申請日: | 2019-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN109818157B | 公開(公告)日: | 2020-01-10 |
| 發明(設計)人: | 楊仕文;馬彥鍇;肖仕偉;陳益凱;屈世偉;胡俊 | 申請(專利權)人: | 電子科技大學 |
| 主分類號: | H01Q21/00 | 分類號: | H01Q21/00;H01Q21/29;H01Q1/50 |
| 代理公司: | 51229 成都正華專利代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 何凡 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 子陣 不規則 方向圖 緊耦合 超寬帶天線陣列 構建 帶狀線 微波電路板 幅度相位 工程應用 功率分配 加權綜合 饋電網絡 輸出端口 輸入端口 陣列單元 半波長 功分器 多層 排布 天線 加工 優化 保證 | ||
1.一種基于不規則子陣的緊耦合超寬帶天線陣列的構建方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、根據天線規模以熵最大為條件排布不規則子陣;
S2、獲取與每個不規則子陣相連接的功分器輸入端口的位置,使功分器輸入端口通過等長度的帶狀線與T/R組件端口一一對應連接;
S3、獲取功分器輸入端口與T/R組件端口連接后各個子陣的有源方向圖;
S4、根據各個子陣的有源方向圖進行幅相加權綜合出總體方向圖,并對總體方向圖進行優化,構建完成基于不規則子陣的緊耦合超寬帶天線陣列;
所述步驟S1的具體方法為:
根據天線單元形式確定天線陣列規模,根據天線陣列規模以熵最大為條件確定不規則子陣排布方案,其優化目標及約束條件分別為:
Hmax表示當前天線陣列口徑(M×N)下熵值的上限;Ikl表示在坐標(k,l)處的貼片形式,k∈(1,2,...,M),l∈(1,2,...,N);t=1表示水平的二聯網格,t=2表示豎直的二聯網格;xtmn為狀態參數,m∈(1,2,...,M),n∈(1,2,...,N),若xtmn=1,則表示在坐標(m,n)處存在一個水平或豎直的二聯網格;若xtmn=0,則表示在坐標(m,n)處不存在水平或豎直的二聯網格;Rp表示重心在第p行的二聯網格集合,rp表示所有重心在第p行的二聯網格數量;Cq表示重心在第q行的二聯網格集合,cq表示所有重心在第q行的二聯網格數量;T表示所有二聯網格數;表示全集;表示整數。
2.根據權利要求1所述的基于不規則子陣的緊耦合超寬帶天線陣列的構建方法,其特征在于,所述步驟S2的具體方法為:
以對應端口之間直線距離的極差最小為目標,將天線單元輸入端口作為功分器的輸出端口,使功分器輸入端口通過等長度的帶狀線與T/R組件端口一一對應連接;所述以對應端口之間直線距離的極差最小為目標的具體公式為:
min:max{Lcorrspond}-min{Lcorrspond}
其中和分別表示第a個T/R組件端口的橫縱坐標;和分別表示第b個功分器輸入端口的橫縱坐標;和分別表示第b個功分器所對應的子陣中心的橫縱坐標;表示第a個T/R組件端口到第b個功分器輸入端口的直線距離,Lcorrspond表示每個功分器輸入端口的位置與T/R組件端口對應的直線距離的集合,d表示天線單元的間距。
3.根據權利要求2所述的基于不規則子陣的緊耦合超寬帶天線陣列的構建方法,其特征在于,所述步驟S3的具體方法為:
分別將單個子陣端口的激勵幅度設為1w,其他端口設置為0w,提取三維方向圖數據,進而得到單個子陣的有源方向圖,即得到各個子陣的有源方向圖。
4.根據權利要求3所述的基于不規則子陣的緊耦合超寬帶天線陣列的構建方法,其特征在于,所述步驟S4的具體方法包括以下子步驟:
S4-1、根據公式
得到總體方向圖其中為第v個子陣的有源方向圖,sv和αv分別為第v個子陣的激勵幅度和相位;e為常數;Nv為第v個子陣內的單元數;β為自由空間的波數;xvw和yvw分別為第v個子陣內的第w個單元中心的橫縱坐標;θ和均為極化變量;X表示子陣數;j為虛數;
S4-2、根據公式
對總體方向圖進行優化,得到優化后的總體方向圖其中Θsidelobe表示中心頻率下歸一化場分布的副瓣區域;π為180°;θside和均為中心頻率下歸一化場分布的副瓣區域中的極化變量,θside∈θ,
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