[發明專利]一種利用局部應力制備二維柔性發光陣列的方法有效
| 申請號： | 201910074028.2 | 申請日： | 2019-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN109817770B | 公開（公告）日： | 2021-03-02 |
| 發明（設計）人： | 湯乃云;張偉 | 申請（專利權）人： | 上海電力學院 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/26;H01L27/15 |
| 代理公司： | 上海科盛知識產權代理有限公司 31225 | 代理人： | 劉燕武 |
| 地址： | 200090 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 利用 局部 應力 制備 二維 柔性 發光 陣列 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種利用局部應力制備二維柔性發光陣列的方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)：采用柔性材料作為襯底；
(2)：在襯底上沉積一層金屬材料；
(3)：對步驟(2)中沉積金屬材料后的襯底進行微波退火，使得金屬材料在襯底上形成金屬島；
(4)：繼續在步驟(3)形成的金屬島上轉移一層二硒化鎢層，即完成；
步驟(2)中，所述的金屬材料為金；
步驟(3)中，微波退火的工藝條件為：微波功率2000-5000瓦，退火時間1-10分鐘。
2.根據權利要求1所述的一種利用局部應力制備二維柔性發光陣列的方法，其特征在于，步驟(1)中，所述的柔性材料選自聚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚對苯二甲酸乙二醇酯的一種。
3.根據權利要求1所述的一種利用局部應力制備二維柔性發光陣列的方法，其特征在于，步驟(2)中，金屬材料的厚度為20-50nm。
4.根據權利要求1所述的一種利用局部應力制備二維柔性發光陣列的方法，其特征在于，步驟(4)中，二硒化鎢層的厚度為二層原子層。
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