[發明專利]一種透明導電膜

在審

• 申請號: 201910073351.8
• 申請日: 2019-01-25
• 公開（公告）號: CN109712744A
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 黃華凜
• 申請（專利權）人: 廣東迪奧應用材料科技有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;B32B15/04
• 代理公司: 廣東廣和律師事務所 44298
• 代理人: 王少強

本發明涉及一種透明導電膜，其中包括透明基材，第一透明導電介質保護層，第一金屬保護層，金屬導電層，第二金屬保護層及第二透明導電介質保護層。當中的金屬保護層為鉬、鉬合金、稀土單質或者稀土合金，金屬導電層為銀鋁銅合金。本發明除了提升銀合金膜的耐腐蝕特性外，還因三層金屬共同降低了電阻率，提升了銀合金的導電特性。特別的由于沒有引入特殊元素，沿用了行業里慣用的鉬及鉬合金，在刻蝕方面無需特殊工藝即可滿足生產要求。

技術領域

本發明涉及電子產品，具體涉及一種透明導電膜。

背景技術

近年來，隨著柔性穿戴用品、太陽能電池、電致變色、3D曲面顯示、TFT-LCD和OLED等向大型化，對于低成本的低電阻、高透過率的透明導電的要求日益嚴格，ITO已經不能滿足于基本的柔性基材需求，于是延伸出一系列的低電阻、高透過率的可供人們選擇的對象，比如：Metal Mesh、納米銀線、碳納米管及石墨烯，然而當中只有Metal Mesh、納米銀線發展較為成熟，也是目前能夠替代ITO的主要材料。可是Metal Mesh制備過程復雜，價格昂貴，性價比不高；而納米銀線在使用過程中容易發生電化學腐蝕，產生短路，造成次品。

在實施當中，很多文獻專利揭示使用ITO疊堆銀結構來降低面電阻，且為了降低使用的ITO膜透明導電體的電阻，相應的增加了ITO膜的厚度，或者通過熱退火(thermalannealing)來進行ITO膜的結晶化。但是，如果將ITO膜實施厚膜化則透過率降低。另外，在高溫條件下對薄膜基材實施熱退火處理通常很困難。因此，在設置于薄膜基材上的ITO膜的情況下，處于難以既維持高透過率又降低電阻的狀況。

又因氧化鋅基透明導電膜相對于ITO透過率對基片溫度的敏感性低于ITO,可以在低溫下沉積高透過率的透明導電膜，且沉積速率高，濺射功率低，特別適合于柔性基材，并且Al、In、Ga、Ge、Zr、Mo、B、Sc等摻雜的氧化鋅基導電薄膜已經得到了廣泛的運用。

發明內容

有鑒于此，本發明的主要目的在于提供一種透明導電膜，除提升銀合金膜的耐腐蝕特性外，還因三層金屬共同降低了電阻率，提升了銀合金的導電特性。

本發明的技術方案是這樣實現的：

一種透明導電膜，如圖1所示，包括由下往上層疊設置的透明基材10，第一透明導電介質保護層20和/或第一金屬保護層30，金屬導電層40，第二金屬保護層50和/或第二透明導電介質保護層60。

其中，透明基材10，主要是具有可撓折性的有機樹脂薄膜，有機樹脂薄膜主要為具有一定透過性的，如PC、PET、PEN、PMMA、COP等。

金屬導電層40為銀鋁銅三元合金層，其比例為：銅在銀中添加量0.2-5wt％，鋁在銀中添加量0.2-5wt％，余量為銀，所述金屬導電層的厚度在1-12納米之間。

第一金屬保護層30和第二金屬保護層50，分別由鉬、鉬合金、稀土單質、稀土合金中的至少一種或兩種以上組成，其厚度在0.5-5納米之間。

所述鉬合金主要為鉬鈮、鉬鉭、鉬鎢、鉬銅、鉬鉻、鉬釹、鉬鋯、鉬鉿、鉬鈦及鉬釩合金，所述稀土合金為Y、La、Ce、Fr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中至少一種或者兩種以上合金。

第一透明導電介質保護層20及第二透明導電介質保護層60是導電介質,主要是導電氧化物，分別由AZO、GZO、YZO、BZO的至少一種或兩種以上組成,或者由V、Cr、Co、In的至少一種摻雜在AZO、GZO、YZO、BZO中的至少一種中組成，其厚度在5-100納米之間。

與現有技術相比，本發明除了提升銀合金膜的耐腐蝕特性外，還因三層金屬共同降低了電阻率，提升了銀合金的導電特性。特別的由于沒有引入特殊元素，沿用了行業里慣用的鉬及鉬合金，在刻蝕方面無需特殊工藝即可滿足生產要求。

附圖說明