[發明專利]一種銠摻雜鈦酸鍶超薄納米層覆蓋的釩酸鉍光陽極及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 201910071993.4
• 申請日: 2019-01-25
• 公開（公告）號: CN109706468B
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: 補鈺煜;張亞萍;敖金平
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: C25B1/04
• 分類號: C25B1/04;C25B11/06
• 代理公司: 西安中科匯知識產權代理有限公司 61254
• 代理人: 韓冰

1.一種銠摻雜鈦酸鍶超薄納米層覆蓋的釩酸鉍光陽極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、采用電化學沉積的方式在FTO表面沉積BiOI前驅體；

步驟二、用0.2M的乙酰丙酮釩溶液進行交換，得到釩酸鉍電極，多余的V₂O₅用NaOH溶液除去；

步驟三、BiVO₄-Rh-SrTiO₃光陽極的合成：

將0.5-1ml鈦酸四丁酯溶于乙酸，按Ti:Rh＝(91-99):(1-9)的比例加入硝酸銠溶液，接著加入2.5ml去離子水，攪拌至溶液透明后，分別加入2.5ml硝酸鍶和檸檬酸水溶液，而后攪拌至溶液透明，用旋涂的方式涂在已經準備好的釩酸鉍電極上，干燥后高溫退火使其結晶得到BiVO₄-Rh-SrTiO₃光陽極。

2.根據權利要求1所述的銠摻雜鈦酸鍶超薄納米層覆蓋的釩酸鉍光陽極的制備方法，其特征在于：所述步驟一的具體步驟為：電沉積液由100毫升pH為1.2的包含Bi(NO₃)₃和NaI的A溶液以及45毫升包含對苯醌的B液混合而成，電沉積采用三電極體系，Pt為對電極，Ag/AgCl為參比電極，空白FTO作為工作電極，沉積電位采用-0.3V和-0.1V階躍沉積，得到BiOI電極。

3.一種銠摻雜鈦酸鍶超薄納米層覆蓋的釩酸鉍光陽極，其特征在于，采用權利要求1或2所述的銠摻雜鈦酸鍶超薄納米層覆蓋的釩酸鉍光陽極制備方法制備得到銠摻雜鈦酸鍶超薄納米層覆蓋的釩酸鉍光陽極。

4.一種如權利要求3所述的銠摻雜鈦酸鍶超薄納米層覆蓋的釩酸鉍光陽極的用途，其特征在于，用作光催化水產氧氣材料。