[發明專利]一種減少晶圓厚度的方法在審
| 申請號： | 201910071611.8 | 申請日： | 2019-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN111482849A | 公開（公告）日： | 2020-08-04 |
| 發明（設計）人： | 周曉剛 | 申請（專利權）人： | 東莞新科技術研究開發有限公司 |
| 主分類號： | B24B1/00 | 分類號： | B24B1/00;B24B49/00;B24B37/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 減少 厚度 方法 | ||
1.一種減少晶圓厚度的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
(1)提供待減薄的半導體晶圓；
(2)在砂輪轉速3000～5000rmp下，對所述晶圓進行粗磨，所述粗磨的目標深度占晶圓總的減薄厚度的76～84％；
(3)在砂輪轉速3000～5000rmp下，對所述粗磨后的晶圓進行精磨，所述精磨的砂輪轉速大于所述粗磨的砂輪轉速，所述精磨的目標深度占晶圓總的減薄厚度的15～20％；
(4)對精磨后的晶圓進行濕法蝕刻，濕法蝕刻液為硝酸、氫氟酸、冰乙酸組成的混合酸液，混合酸液刻蝕的溫度為-10～-15℃，刻蝕深度占晶圓總的減薄厚度的0.9％～5％。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述精磨的目標深度為150～200nm。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕的深度為10～50nm。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述粗磨的目標深度為800nm。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述精磨的砂輪進給速率為0.8～1μm/s，在進行精磨之前，在精磨的砂輪進給速率為0.8μm/s的條件下打磨所述粗磨造成的崩裂。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述粗磨的砂輪進給速率為3.0μm/s。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述粗磨時的砂輪轉速為3000～4500rmp，所述精磨時的砂輪轉速為5000rmp。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述粗磨的目標深度為800nm，所述精磨的目標深度為200nm，所述刻蝕的深度為50nm。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述粗磨的砂輪的粗糙度大于所述精磨的砂輪的粗糙度。
10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕液中硝酸、氫氟酸、冰乙酸的體積比為7:2:1，所述濕法刻蝕的時間為10min。
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