[發(fā)明專利]雙極晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910071581.0
• 申請日: 2019-01-25
• 公開（公告）號: CN111223921B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發(fā)明（設計）人: 趙傳珍;楊博翔
• 申請（專利權(quán)）人: 立積電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 上海市錦天城律師事務所 31273
• 代理人: 劉民選

1.一種雙極晶體管，其特征在于，包含：

一集極層；

一基極層，設于該集極層上；

一第一長條形射極臺面，設于該基極層上，具有一長邊與一短邊，且該長邊與一第一方向平行；

n個分隔的第一射極接觸結(jié)構(gòu)，沿著該第一方向設于該第一長條形射極臺面上，其中n為大于1的整數(shù)；其中該n個分隔的第一射極接觸結(jié)構(gòu)之間形成n-1個間隔；且該第一長條形射極臺面的該長邊具有一長度L，而該n-1個間隔在該第一方向上的寬度總和小于L/3；

一第一導體層，包含復數(shù)個接觸結(jié)構(gòu)連接該n個分隔的第一射極接觸結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的雙極晶體管，其特征在于，其中該雙極晶體管為異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。

3.如權(quán)利要求2所述的雙極晶體管，其特征在于，其中該異質(zhì)結(jié)雙極晶體管為功率元件，用于一射頻放大電路內(nèi)。

4.如權(quán)利要求1所述的雙極晶體管，其特征在于，其中另包含一絕緣膜，設于該n個分隔的第一射極接觸結(jié)構(gòu)之上，該絕緣膜包含n個開孔，分別顯露出該n個分隔的第一射極接觸結(jié)構(gòu)的上表面，使該一第一導體層的該復數(shù)個接觸結(jié)構(gòu)連接該n個分隔的第一射極接觸結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求1所述的雙極晶體管，其特征在于，其中n為小于或等于6的整數(shù)。

6.如權(quán)利要求1所述的雙極晶體管，其特征在于，其中另包含一基極金屬層及一基極層，該基極金屬層的至少一部分為長條形，沿著該第一方向設于該基極層上。

7.如權(quán)利要求6所述的雙極晶體管，其特征在于，其中還包含：

一第二長條形射極臺面，具有一長邊與一短邊，其中該第二長條形射極臺面設于該基極層上，且該長邊與一第二方向平行；

m個分隔的第二射極接觸結(jié)構(gòu)，沿著該第二方向設于該第二長條形射極臺面上，其中m為大于1的整數(shù)；以及

一第二導體層，包含復數(shù)個接觸結(jié)構(gòu)連接該m個分隔的第二射極接觸結(jié)構(gòu)；

其中該基極金屬層的至少該部分設于該第一長條形射極臺面與該第二長條形射極臺面之間。

8.如權(quán)利要求7所述的雙極晶體管，其特征在于，其中該第一方向與該第二方向平行，且該第一長條形射極臺面的長邊與該第二長條形射極臺面的長邊具有相同的長度。

9.如權(quán)利要求7所述的雙極晶體管，其特征在于，其中n＝m。

10.如權(quán)利要求7所述的雙極晶體管，其特征在于，其中該n個分隔的第一射極接觸結(jié)構(gòu)與該m個分隔的第二射極接觸結(jié)構(gòu)彼此對齊。

11.如權(quán)利要求7所述的雙極晶體管，其特征在于，其中該n個分隔的第一射極接觸結(jié)構(gòu)與該m個分隔的第二射極接觸結(jié)構(gòu)彼此不對齊。

12.如權(quán)利要求1所述的雙極晶體管，其特征在于，其中該n個分隔的第一射極接觸結(jié)構(gòu)沿著該第一方向彼此對準，且排列成一列。

13.如權(quán)利要求1所述的雙極晶體管，其特征在于，其中該n個分隔的第一射極接觸結(jié)構(gòu)之間形成n-1個間隔，且n為大于或等于4的偶數(shù)，該n-1個間隔在該第一方向分別具有n-1個寬度，該第n/2個間隔的寬度至該第1個及該第n-1個間隔的寬度為遞減。

14.如權(quán)利要求1所述的雙極晶體管，其特征在于，其中該n個分隔的第一射極接觸結(jié)構(gòu)之間形成n-1個間隔，且n為大于4的奇數(shù)，該n-1個間隔在該第一方向分別具有n-1個寬度，該第(n-1)/2個間隔的寬度至該第1個及該第(n+1)/2個間隔的寬度至該第n-1個間隔的寬度為遞減。