[發明專利]一種半導體表面金屬化的方法

在審

• 申請號: 201910071122.2
• 申請日: 2019-01-25
• 公開（公告）號: CN111489953A
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 程丙坤
• 申請（專利權）人: 東莞新科技術研究開發有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/3205
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

1.一種半導體表面金屬化的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

(1)在硅片背面的表面，采用蒸發或濺射的方式鍍上非貴金屬鋁或鈦，然后在300℃～400℃和氮氣流量為6.5L/min氣氛下進行合金，使非貴金屬與硅片進行合金形成第一層；

(2)在真空條件下對所述第一層進行離子轟擊清洗，清洗完成后抽真空再通入惰性氣體，然后通過靶濺射在所述第一層的金屬表面依次鍍鎳層和鍍錫層，得到在第一層的金屬表面的第二層；

(3)在第二層的表面采用蒸發或者濺射的方式鍍上金屬金，得到在第二層的表面的導電層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(2)中通過錫靶濺射進行鍍錫，鍍錫功率為5～6.5kW，轟擊電流為8～10A。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述鍍錫功率為5kW、5.5kW、6kW或者6.5kW。

4.根據權利要求2或3所述的方法，其特征在于，步驟(2)中通過鎳靶濺射進行鍍鎳，鍍鎳功率為6～8kW，轟擊電流為13～18A。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，步驟(2)中靶濺射鍍錫的時間為30～45min，靶濺射鍍鎳的時間為90～100min。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一層的厚度為1～3微米。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二層的厚度為3微米。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述導電層的厚度為0.1微米。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(2)中離子轟擊清洗的真空度為8～10^-1Pa，清洗完成后抽真空至5×10^-2～5×10^-3Pa后通入氬氣。

10.根據權利要求1-3、5-9任一所述的方法，其特征在于，在形成第一層之前對硅片表面進行清洗，所述清洗的方法包括以下步驟：清洗硅片表面油污和碎屑；然后將硅片放置于濃度為2％的酸溶液中清洗5min，酸溶液為硫酸、草酸或鹽酸中的一種，將酸溶液清洗后的硅片于50℃～60℃的溫水中漂洗，烘干。