[發明專利]單個高能粒子離化電荷測試電路有效
| 申請號： | 201910071020.0 | 申請日： | 2019-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN109917269B | 公開（公告）日： | 2021-10-01 |
| 發明（設計）人： | 閆薇薇;曾傳濱;高林春;李曉靜;倪濤;李多力;羅家俊;韓鄭生 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | G01R31/28 | 分類號： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京華沛德權律師事務所 11302 | 代理人： | 房德權 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單個 高能 粒子 電荷 測試 電路 | ||
1.一種單個高能粒子離化電荷測試電路，其特征在于，包括M個高能粒子捕獲模塊和M個信號探測模塊，所述M個高能粒子捕獲模塊和所述M個信號探測模塊一一對應，M為不小于2的正整數；
所述高能粒子捕獲模塊包括N個并聯的場效應晶體管，所述場效應晶體管用于捕獲高能粒子，并在捕獲到高能粒子時產生流過自身的瞬態電流信號，N為正整數；
所述信號探測模塊用于探測對應的高能粒子捕獲模塊產生的瞬態電流信號，并在探測到所述瞬態電流信號時輸出測試信號；
所述場效應晶體管為采用絕緣體上硅工藝制備獲得的場效應晶體管，或者所述場效應晶體管為采用體硅工藝制備獲得的場效應晶體管。
2.根據權利要求1所述的單個高能粒子離化電荷測試電路，其特征在于，所述場效應晶體管為NMOS管；
每個NMOS管的柵極和每個NMOS管的源極接地，每個NMOS管的漏極相連并作為所述高能粒子捕獲模塊的輸出端。
3.根據權利要求1所述的單個高能粒子離化電荷測試電路，其特征在于，所述場效應晶體管為PMOS管；
每個PMOS管的柵極和每個PMOS管的源極連接電源端并作為所述高能粒子捕獲模塊的輸出端，每個PMOS管的漏極接地。
4.根據權利要求2或3所述的單個高能粒子離化電荷測試電路，其特征在于，所述信號探測模塊包括T型偏置器；
所述T型偏置器的直流輸入端連接電源端，所述T型偏置器的射頻輸入端連接對應的高能粒子捕獲模塊的輸出端，所述T型偏置器的輸出端用于輸出所述測試信號。
5.根據權利要求4所述的單個高能粒子離化電荷測試電路，其特征在于，還包括M個濾波電路；
每個T型偏置器的直流輸入端通過一個濾波電路連接所述電源端。
6.根據權利要求1所述的單個高能粒子離化電荷測試電路，其特征在于，還包括M個ESD保護電路；
每個信號探測模塊通過一個ESD保護電路連接對應的高能粒子捕獲模塊。
7.根據權利要求6所述的單個高能粒子離化電荷測試電路，其特征在于，所述ESD保護電路包括第一放電二極管和第二放電二極管；
所述第一放電二極管的陰極連接電源端，所述第一放電二極管的陽極和所述第二放電二極管的陰極連接對應的高能粒子捕獲模塊的輸出端，所述第二放電二極管的陽極接地。
8.根據權利要求1所述的單個高能粒子離化電荷測試電路，其特征在于，所有場效應晶體管呈陣列排布，且每兩個相鄰場效應晶體管之間的距離均相等。
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