[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910070123.5
• 申請(qǐng)日: 2019-01-24
• 公開（公告）號(hào): CN110085671B
• 公開（公告）日: 2022-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 木村圭佑
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社電裝
• 主分類號(hào): H01L29/739
• 分類號(hào): H01L29/739;H01L21/331
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 何沖;黃隸凡

1.一種半導(dǎo)體裝置，

其具有：半導(dǎo)體基板；

溝槽，其設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的上表面；

柵極絕緣膜，其覆蓋所述溝槽的內(nèi)表面；以及

柵極，其配置在所述溝槽內(nèi)，并通過所述柵極絕緣膜相對(duì)于所述半導(dǎo)體基板絕緣，

所述半導(dǎo)體基板具有：

n型的發(fā)射極區(qū)，其從所述上表面露出且與所述柵極絕緣膜接觸；

p型的上部體區(qū)，其在所述發(fā)射極區(qū)的下側(cè)與所述柵極絕緣膜接觸；

n型的中間區(qū)域，其在所述上部體區(qū)的下側(cè)與所述柵極絕緣膜接觸；

p型的下部體區(qū)，其在所述中間區(qū)域的下側(cè)與所述柵極絕緣膜接觸；

n型的漂移區(qū)，其在所述下部體區(qū)的下側(cè)與所述柵極絕緣膜接觸；以及

p型的集電極區(qū)，其從下側(cè)與所述漂移區(qū)接觸，

所述下部體區(qū)具有第1范圍、以及晶體缺陷密度高于所述第1范圍的第2范圍，

所述第2范圍與所述柵極絕緣膜接觸，

所述第1范圍在與所述柵極絕緣膜相對(duì)的一側(cè)與所述第2范圍接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述中間區(qū)域具有第3范圍、以及n型雜質(zhì)濃度低于第3范圍的第4范圍，

所述第4范圍與所述柵極絕緣膜接觸，

所述第3范圍在與所述柵極絕緣膜相對(duì)的一側(cè)與所述第4范圍接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述漂移區(qū)具有第5范圍、以及晶體缺陷密度高于所述第5范圍的第6范圍，

所述第6范圍與所述柵極絕緣膜接觸，

所述第5范圍配置在所述第6范圍的周圍。

4.一種制造方法，

其用于制造權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，

其具有通過向所述半導(dǎo)體基板注入帶電粒子而形成所述第2范圍的工序。

5.一種制造方法，

其用于制造權(quán)利要求3的半導(dǎo)體裝置，

其具有通過向所述半導(dǎo)體基板注入帶電粒子而形成所述第6范圍的工序。