[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光器件和用于有機(jī)電致發(fā)光器件的單胺化合物在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910069905.7 | 申請(qǐng)日: | 2019-01-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110078705A | 公開(公告)日: | 2019-08-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 三宅秀夫;上野雅嗣;金秀蘭;高田一范;宇野卓矢;糸井裕亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | C07D333/76 | 分類號(hào): | C07D333/76;C07D307/91;C07D311/96;C07D409/12;C07C211/61;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 陳宇;董婷 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī)電致發(fā)光器件 空穴傳輸區(qū)域 單胺化合物 電子傳輸區(qū)域 第一電極 發(fā)射層 第二電極 發(fā)射效率 | ||
提供了有機(jī)電致發(fā)光器件和用于有機(jī)電致發(fā)光器件的單胺化合物,所述有機(jī)電致發(fā)光器件包括:第一電極;空穴傳輸區(qū)域,設(shè)置在第一電極上;發(fā)射層,設(shè)置在空穴傳輸區(qū)域上;電子傳輸區(qū)域,設(shè)置在發(fā)射層上;以及第二電極,設(shè)置在電子傳輸區(qū)域上,其中,空穴傳輸區(qū)域包括由式1表示的單胺化合物,從而獲得了高發(fā)射效率。
本專利申請(qǐng)要求于2018年1月26日提交的第10-2018-0009993號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)以及于2018年11月20日提交的第10-2018-0143745號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán),所述韓國(guó)專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過引用包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開這里涉及有機(jī)電致發(fā)光器件和用于有機(jī)電致發(fā)光器件的單胺化合物。
背景技術(shù)
正在積極地實(shí)施對(duì)作為圖像顯示器的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的開發(fā)。有機(jī)電致發(fā)光顯示器與液晶顯示器不同,并且被稱為自發(fā)光顯示器,自發(fā)光顯示器通過使從第一電極和第二電極注入的空穴和電子在發(fā)射層中復(fù)合并通過發(fā)射層中的包括有機(jī)化合物的發(fā)光材料發(fā)光來實(shí)現(xiàn)顯示。
在有機(jī)電致發(fā)光器件在顯示器中的應(yīng)用中,對(duì)于有機(jī)電致發(fā)光器件,需要降低驅(qū)動(dòng)電壓、提高發(fā)射效率和延長(zhǎng)壽命,并且也不斷需要開發(fā)可以穩(wěn)定地實(shí)現(xiàn)有機(jī)電致發(fā)光器件中的這些需求的材料。
發(fā)明內(nèi)容
本公開提供了有機(jī)電致發(fā)光器件和用于有機(jī)電致發(fā)光器件的單胺化合物。更具體地,本公開提供了具有高效率的有機(jī)電致發(fā)光器件和包括在有機(jī)電致發(fā)光器件的空穴傳輸區(qū)域中的單胺化合物。
發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供了有機(jī)電致發(fā)光器件,所述有機(jī)電致發(fā)光器件包括:第一電極;空穴傳輸區(qū)域,設(shè)置在第一電極上;發(fā)射層,設(shè)置在空穴傳輸區(qū)域上;電子傳輸區(qū)域,設(shè)置在發(fā)射層上;以及第二電極,設(shè)置在電子傳輸區(qū)域上,其中,空穴傳輸區(qū)域包括由下面的式1表示的單胺化合物。
[式1]
在式1中,X為S、O或CRR',R和R'均獨(dú)立地為取代的或未取代的具有1個(gè)至10個(gè)碳原子的烷基、取代的或未取代的具有用于成環(huán)的6個(gè)至20個(gè)碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有用于成環(huán)的2個(gè)至10個(gè)碳原子的雜芳基,或者通過使相鄰基團(tuán)彼此結(jié)合來形成環(huán),L1和L2均獨(dú)立地為直接連接、取代的或未取代的具有用于成環(huán)的6個(gè)至12個(gè)碳原子的亞芳基或者取代的或未取代的具有用于成環(huán)的2個(gè)至12個(gè)碳原子的亞雜芳基,n和m均獨(dú)立地為0至2的整數(shù),RA為氫原子、取代的或未取代的具有1個(gè)至10個(gè)碳原子的烷基、取代的或未取代的具有用于成環(huán)的6個(gè)至30個(gè)碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有用于成環(huán)的2個(gè)至30個(gè)碳原子的雜芳基,q為0至7的整數(shù),Ar1為取代的或未取代的具有用于成環(huán)的6個(gè)至12個(gè)碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有用于成環(huán)的2個(gè)至12個(gè)碳原子的雜芳基,在X為CRR'的情況下,Ar1不包括雜芳基,F(xiàn)R由下面的式2表示。
[式2]
在實(shí)施例中,空穴傳輸區(qū)域可以具有多層結(jié)構(gòu),所述多層結(jié)構(gòu)具有多個(gè)層,并且所述多個(gè)層的與發(fā)射層接觸的層可以包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的單胺化合物。
在實(shí)施例中,空穴傳輸區(qū)域可以包括設(shè)置在第一電極上的空穴注入層、設(shè)置在空穴注入層上的空穴傳輸層和設(shè)置在空穴傳輸層上的電子阻擋層,電子阻擋層可以包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的單胺化合物。
在實(shí)施例中,電子傳輸區(qū)域可以包括設(shè)置在發(fā)射層上的空穴阻擋層、設(shè)置在空穴阻擋層上的電子傳輸層和設(shè)置在電子傳輸層上的電子注入層。
在式2中,R1為氫原子、氘原子或鹵素原子,a為0至6的整數(shù)。
在實(shí)施例中,F(xiàn)R可以由下面的式2-1表示。
[式2-1]
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