[發(fā)明專利]一種LED封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910069481.4
• 申請(qǐng)日: 2019-01-24
• 公開（公告）號(hào): CN109786540B
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢暢
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南通沃特光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/54
• 分類號(hào): H01L33/54;H01L33/56;H01L33/50;H01L33/64
• 代理公司: 北京盛凡智榮知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11616
• 代理人: 高志軍

1.一種LED封裝結(jié)構(gòu)，其包括：

散熱基板，所述散熱基板上設(shè)置有環(huán)形凹槽，在所述環(huán)形凹槽的底部設(shè)置有貫通所述散熱基板的多個(gè)通孔，所述多個(gè)通孔中的一部分通孔被導(dǎo)電材料填充形成導(dǎo)電孔；

LED芯片，其經(jīng)由焊球倒裝于所述導(dǎo)電孔上使得所述LED芯片的底面接觸所述散熱基板，俯視觀察所述LED芯片時(shí)，所述LED芯片完全覆蓋所述導(dǎo)電孔但僅部分覆蓋所述環(huán)形凹槽的一部分；

聚合物層，其覆蓋所述散熱基板且圍繞所述LED芯片的側(cè)面，但不高于所述LED芯片，且所述聚合物層完全填充所述環(huán)形凹槽以包裹所述焊球；

熒光樹脂層，其覆蓋于所述聚合物層和所述LED芯片上；

其特征在于，所述聚合物層為可光固化且可熱固化的聚合物材料，所述熒光樹脂層為熱固化樹脂材料，且所述聚合物層的最終固化是與熒光樹脂層的固化在同一加熱步驟中實(shí)現(xiàn)的。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：俯視觀察所述LED芯片時(shí)，所述LED芯片之下的所述聚合物層是僅僅經(jīng)過了熱固化而未經(jīng)歷光固化的半固化狀態(tài)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述聚合物層還填充于所述多個(gè)通孔中的另一部分通孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：俯視觀察所述LED芯片時(shí)，所述導(dǎo)電孔完全位于所述LED芯片之下且所述多個(gè)通孔中的另一部分僅部分位于所LED芯片之下。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：填充于所述另一部分通孔的所述聚合物層是僅僅經(jīng)過了熱固化而未經(jīng)歷光固化的半固化狀態(tài)。

6.一種LED封裝方法，其依次包括如下步驟：

提供一散熱基板；

在所述散熱基板上刻蝕出環(huán)形凹槽；

在所述環(huán)形凹槽的底部激光鉆孔形成貫通所述散熱基板的多個(gè)通孔；

在所述多個(gè)通孔中的一部分通孔填充導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電孔；

將LED芯片經(jīng)由焊球倒裝于所述導(dǎo)電孔上，使得所述LED芯片的底面接觸所述散熱基板，俯視觀察所述LED芯片時(shí)，所述LED芯片完全覆蓋所述導(dǎo)電孔但僅部分覆蓋所述環(huán)形凹槽的一部分；

在所述LED芯片周邊的所述散熱基板上形成聚合物層，其圍繞所述LED芯片的側(cè)面，但不高于所述LED芯片，且所述聚合物層完全填充所述環(huán)形凹槽以包裹所述焊球；其中，所述聚合物層為可光固化且可熱固化的聚合物材料，對(duì)所述聚合物層進(jìn)行光照射，以形成半固化態(tài)的聚合物層；

在所述聚合物層和所述LED芯片上覆蓋熒光樹脂層，所述熒光樹脂層為熱固化樹脂材料；在同一加熱步驟中，將所述半固化態(tài)的聚合物層與所述熒光樹脂層固化。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED封裝方法，其特征在于：在所述LED芯片周邊的所述散熱基板上形成聚合物層，具體包括：利用印刷或者噴涂的方式將聚合物材料填充在所述凹槽內(nèi)，然后利用刮刀進(jìn)行刮平。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED封裝方法，其特征在于：所述聚合物層還填充于所述多個(gè)通孔中的另一部分通孔。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED封裝方法，其特征在于：俯視觀察所述LED芯片時(shí)，所述導(dǎo)電孔完全位于所述LED芯片之下且所述多個(gè)通孔中的另一部分僅部分位于所LED芯片之下。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LED封裝方法，其特征在于：對(duì)所述聚合物層進(jìn)行光照射，具體包括：利用紫外光照射所述聚合物層表面，其中凹槽部分的光到達(dá)深度小于1mm，以使得填充于所述另一部分通孔的所述聚合物層是僅僅經(jīng)過了熱固化而未經(jīng)歷光固化的半固化狀態(tài)。