[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910069243.3
• 申請(qǐng)日: 2019-01-24
• 公開（公告）號(hào): CN109767986B
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蒲奎;曾軍;章文紅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都邁斯派爾半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/40;H01L21/28
• 代理公司: 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371
• 代理人: 王文紅

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底包括第一半導(dǎo)體層和位于所述第一半導(dǎo)體層一側(cè)的第二半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層具有第一導(dǎo)電類型，所述第二半導(dǎo)體層具有第二導(dǎo)電類型，所述第一導(dǎo)電類型與第二導(dǎo)電類型相同或不同；

在所述第二半導(dǎo)體層中形成溝槽；

在所述溝槽內(nèi)形成場(chǎng)氧化層和場(chǎng)板，所述場(chǎng)氧化層覆蓋所述溝槽的底部以及側(cè)壁的一部分，所述場(chǎng)板和所述第二半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述第一半導(dǎo)體層一側(cè)的部分之間形成空隙；

在所述空隙的側(cè)壁、所述場(chǎng)板遠(yuǎn)離所述第一半導(dǎo)體層的表面以及所述第二半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述第一半導(dǎo)體層的表面制作介質(zhì)材料，以在所述場(chǎng)板和所述第二半導(dǎo)體層之間形成用于沉積電極材料的電極槽；

在所述電極槽內(nèi)沉積電極材料制作第一電極，形成所述電極槽的場(chǎng)板表面制作的介質(zhì)材料形成第一隔離層，形成所述電極槽的第二半導(dǎo)體層表面制作的介質(zhì)材料形成第一氧化層；

去除靠近所述第一隔離層的部分電極材料，以使所述電極槽內(nèi)保留的電極材料與所述第一隔離層之間形成隔離溝槽，所述隔離溝槽用于制作第二隔離層；

在所述隔離溝槽內(nèi)制作形成所述第二隔離層；

在所述基底中制作第一導(dǎo)電類型區(qū)和第二導(dǎo)電類型區(qū)；

在所述基底一側(cè)制作覆蓋所述第一電極的介質(zhì)層；及

在所述基底兩側(cè)制作第二電極和第三電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述電極槽包括位于所述場(chǎng)板兩側(cè)的兩個(gè)電極槽，所述電極材料填充于每個(gè)所述電極槽內(nèi)，且所述電極材料覆蓋所述第二半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述第一半導(dǎo)體層表面的介質(zhì)材料；其中，去除靠近所述第一隔離層的部分電極材料的步驟包括：

去除每個(gè)電極槽內(nèi)靠近所述第一隔離層的部分電極材料；

去除位于所述第二半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述第一半導(dǎo)體層一側(cè)的電極材料的一部分，保留覆蓋所述第二半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述第一半導(dǎo)體層一側(cè)的電極材料中靠近所述電極槽的部分材料；

所述電極槽內(nèi)保留下的電極材料與所述第一隔離層之間的空隙形成所述隔離溝槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述電極槽包括位于所述場(chǎng)板兩側(cè)的兩個(gè)電極槽，所述電極材料填充于每個(gè)所述電極槽內(nèi)；其中，去除靠近所述第一隔離層的部分電極材料的步驟包括：

去除每個(gè)電極槽內(nèi)靠近所述第一隔離層的部分電極材料，所述電極槽內(nèi)保留下的電極材料與所述第一隔離層之間的空隙形成所述隔離溝槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述隔離溝槽包括位于所述場(chǎng)板兩側(cè)的兩個(gè)隔離溝槽；在所述隔離溝槽內(nèi)形成所述第二隔離層的步驟包括：

在每個(gè)所述隔離溝槽內(nèi)填充隔離材料，所述電極槽內(nèi)保留下的電極材料與所述第一隔離層之間的隔離材料形成所述第二隔離層；

所述隔離材料還覆蓋所述電極槽內(nèi)保留下的電極材料以及位于所述第二半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述第一半導(dǎo)體層表面上的介質(zhì)材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述隔離溝槽包括位于所述場(chǎng)板兩側(cè)的兩個(gè)隔離溝槽；在所述隔離溝槽內(nèi)形成所述第二隔離層的步驟包括：

在熱氧化生長條件中，所述電極槽內(nèi)保留的電極材料生長形成熱生長氧化層，所述熱生長氧化層填充所述隔離溝槽，形成所述第二隔離層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為N或P型，所述第二導(dǎo)電類型為N型或P型。