[發(fā)明專利]一種單管腳無(wú)片外電容頻率可調(diào)的晶體振蕩器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910068122.7
• 申請(qǐng)日: 2019-01-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110176905A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄧金鳴;邸慶祥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海磐啟微電子有限公司
• 主分類號(hào): H03B5/08
• 分類號(hào): H03B5/08
• 代理公司: 上海旭誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31220
• 代理人: 鄭立

1.一種單管腳無(wú)片外電容頻率可調(diào)的晶體振蕩器，其特征在于，包括運(yùn)算放大器，第一緩沖器、第二緩沖器、第一片內(nèi)可調(diào)電容和第二片內(nèi)可調(diào)電容，其中，所述運(yùn)算放大器輸出端分別接所述第一緩沖器和所述第二緩沖器，所述第一緩沖器輸出端連接到所述運(yùn)算放大器正輸入端形成正反饋回路，所述第二緩沖器輸出端連接到所述運(yùn)算放大器負(fù)輸入端形成負(fù)反饋回路，所述第一緩沖器輸出端連接所述第一片內(nèi)可調(diào)電容一端，所述第一片內(nèi)可調(diào)電容另一端接地，所述第二緩沖器輸出端連接所述第二片內(nèi)可調(diào)電容一端，所述第二片內(nèi)可調(diào)電容另一端接地，所述第一緩沖器輸出端外部連接外部晶振。

2.如權(quán)利要求1所述的單管腳無(wú)片外電容頻率可調(diào)的晶體振蕩器，其特征在于，所述第一片內(nèi)可調(diào)電容和所述第二片內(nèi)可調(diào)電容由多個(gè)電容支路并聯(lián)而成，每個(gè)支路采用開(kāi)關(guān)控制通斷。

3.如權(quán)利要求2所述的單管腳無(wú)片外電容頻率可調(diào)的晶體振蕩器，其特征在于，所述電容支路的電容為mimcap電容。

4.如權(quán)利要求2所述的單管腳無(wú)片外電容頻率可調(diào)的晶體振蕩器，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)為NMOS和PMOS對(duì)。

5.如權(quán)利要求2所述的單管腳無(wú)片外電容頻率可調(diào)的晶體振蕩器，其特征在于，所述電容支路的電容容值按2的冪指數(shù)形式排列。

6.如權(quán)利要求1所述的單管腳無(wú)片外電容頻率可調(diào)的晶體振蕩器，其特征在于，所述晶體振蕩器的穩(wěn)定條件為所述負(fù)反饋回路的等效電導(dǎo)與第二片內(nèi)可調(diào)電容的容值之比大于所述正反饋回路的等效電導(dǎo)與第一片內(nèi)可調(diào)電容的容值和外部晶振的容值之和之比。