[發明專利]一種具有正交差分輸出的低功耗注入鎖定二分頻器在審
| 申請號： | 201910068108.7 | 申請日： | 2019-01-24 |
| 公開（公告）號： | CN109802637A | 公開（公告）日： | 2019-05-24 |
| 發明（設計）人： | 張頂頂;李靖 | 申請（專利權）人： | 上海磐啟微電子有限公司 |
| 主分類號： | H03B19/14 | 分類號： | H03B19/14 |
| 代理公司： | 上海旭誠知識產權代理有限公司 31220 | 代理人： | 鄭立 |
| 地址： | 201210 上海市浦東新區中國（上海）自由*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鎖存器 低功耗 電流源 電容 電阻 負極 二分頻器 注入鎖定 輸入端 晶體管 集成電路技術 高輸出電壓 反相連接 輸入頻率 同相連接 源極接地 輸出 級差 低成本 分環 漏極 | ||
1.一種具有正交差分輸出的低功耗注入鎖定二分頻器，其特征在于，包括第一鎖存器Latch1、第二鎖存器Latch2、第一電容C1、第二電容C2、電流源Idc、第一晶體管M1、第一電阻R1、第二電阻R2；
所述第一鎖存器Latch1、所述第二鎖存器Latch2分別通過同相連接和反相連接的方式構成兩級差分環振；所述第一鎖存器Latch1的von、vop端分別連接所述第二鎖存器Latch2的vip、vin端，所述第一鎖存器Latch1的vip、vin端分別連接所述第二鎖存器Latch2的vop、von端；
所述晶體管M1的柵極和漏極相連后與所述電流源Idc的負極相連，所述晶體管M1的源極接地；
所述第一電阻R1的一端接所述電流源Idc的負極，另一端接所述第二鎖存器Latch2的CLK端；所述第二電阻R2的一端接所述電流源Idc的負極，另一端接所述第一鎖存器Latch1的CLK端；
所述第一電容C1的一端接第一輸入信號Vin_p，另一端接所述第一鎖存器Latch1的CLK端；所述第二電容C2的一端接第二輸入信號Vin_n，另一端接所述第二鎖存器Latch2的CLK端。
2.如權利要求1所述的具有正交差分輸出的低功耗注入鎖定二分頻器，其特征在于，所述第一電阻R1和所述第二電阻R2被設置為提供偏置電流。
3.如權利要求1所述的具有正交差分輸出的低功耗注入鎖定二分頻器，其特征在于，所述第一鎖存器Latch1和所述第二鎖存器Latch2的組成結構相同，均包括第二晶體管M2、第一反相器inv1、第二反相器inv2、第三反相器inv3、第四反相器inv4。
4.如權利要求3所述的具有正交差分輸出的低功耗注入鎖定二分頻器，其特征在于，所述第一反相器inv1、所述第二反相器inv2、所述第三反相器inv3、所述第四反相器inv4均包括PMOS晶體管和NMOS晶體管。
5.如權利要求3所述的具有正交差分輸出的低功耗注入鎖定二分頻器，其特征在于，所述第一輸入信號Vin_p和所述第二輸入信號Vin_n均為差分電壓信號。
6.如權利要求6所述的具有正交差分輸出的低功耗注入鎖定二分頻器，其特征在于，所述第一輸入信號Vin_p和所述第二輸入信號Vin_n分別通過所述第一電容C1、所述第二電容C2耦合到所述第二晶體管M2的柵極，轉換為差分電流信號。
7.如權利要求3所述的具有正交差分輸出的低功耗注入鎖定二分頻器，其特征在于，所述第一反相器inv1和所述第二反相器inv2構成放大對。
8.如權利要求3所述的具有正交差分輸出的低功耗注入鎖定二分頻器，其特征在于，所述第三反相器inv3和所述第四反相器inv4連接成交叉耦合形式的鎖存對。
9.如權利要求3所述的具有正交差分輸出的低功耗注入鎖定二分頻器，其特征在于，所述第一反相器inv1、所述第二反相器inv2、所述第三反相器inv3、所述第四反相器inv4的寬長比均為2:1。
10.如權利要求3所述的具有正交差分輸出的低功耗注入鎖定二分頻器，其特征在于，所述第二晶體管M2被設置為在分頻時工作在飽和區和亞閾值區的邊緣。
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