[發(fā)明專利]金屬對(duì)金屬電容器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910067991.8 | 申請(qǐng)日： | 2019-01-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110120384B | 公開（公告）日： | 2021-03-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | Y·C·A·付;M·克拉瑪特;V·斯里尼瓦斯 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 蘋果公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/64 | 分類號(hào)： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 王茂華 |
| 地址： | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 金屬 電容器 | ||
1.一種電容器結(jié)構(gòu)，包括：
電容器晶胞的陣列，所述電容器晶胞的陣列被多個(gè)邊界晶胞包圍；
每個(gè)電容器晶胞包括下金屬層，所述下金屬層包括與第二多個(gè)指狀電極叉指的第一多個(gè)指狀電極；
每個(gè)邊界晶胞包括在所述下金屬層中的與第二多個(gè)虛設(shè)指狀電極叉指的第一多個(gè)虛設(shè)指狀電極；以及
其中所述第一多個(gè)指狀電極和所述第二多個(gè)指狀電極跨越所述電容器晶胞的陣列具有相同的尺寸和間距，并且所述第一多個(gè)虛設(shè)指狀電極和所述第二多個(gè)虛設(shè)指狀電極與所述第一多個(gè)指狀電極和所述第二多個(gè)指狀電極具有相同的尺寸和間距。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中所述第一多個(gè)虛設(shè)指狀電極和所述第二多個(gè)虛設(shè)指狀電極電接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中每個(gè)電容器晶胞進(jìn)一步包括上金屬層，所述上金屬層包括與第四多個(gè)指狀電極叉指的第三多個(gè)指狀電極，其中所述第三多個(gè)指狀電極和所述第四多個(gè)指狀電極與所述第一多個(gè)指狀電極和所述第二多個(gè)指狀電極正交。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中所述電容器晶胞的陣列包括多個(gè)電容器主晶胞以及多個(gè)電容器子晶胞，每個(gè)電容器主晶胞和每個(gè)電容器子晶胞在所述下金屬層和所述上金屬層之間具有相等的通孔密度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中每個(gè)邊界晶胞包括處于所述下金屬層和所述上金屬層之間的通孔，所述邊界晶胞具有所述相等的通孔密度。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中所述第一多個(gè)指狀電極包括延伸穿過電容器晶胞的所述陣列內(nèi)第一系列的電容器晶胞的公共下軌道，其中對(duì)應(yīng)系列的所述第一多個(gè)指狀電極和所述第三多個(gè)指狀電極電連接至所述公共下軌道。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中所述第四多個(gè)指狀電極包括延伸穿過電容器晶胞的所述陣列內(nèi)的第二系列的電容器晶胞的公共上軌道，并且對(duì)應(yīng)系列的所述第四多個(gè)指狀電極和所述第二多個(gè)指狀電極電連接至所述公共上軌道。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中所述公共下軌道延伸穿過第一邊界晶胞，并且所述公共上軌道延伸穿過第二邊界晶胞。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容器結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括位于所述下金屬層之下的多晶硅層，所述多晶硅層包括與第六多個(gè)指狀電極叉指的第五多個(gè)指狀電極，其中所述第一多個(gè)指狀電極、所述第二多個(gè)指狀電極、所述第五多個(gè)指狀電極和所述第六多個(gè)指狀電極與所述第三多個(gè)指狀電極和所述第四多個(gè)指狀電極正交。
10.一種電容器結(jié)構(gòu)，包括：
下金屬層，所述下金屬層包括處于對(duì)應(yīng)的電容器晶胞的陣列內(nèi)與指狀電極的第二陣列叉指的指狀電極的第一陣列；
上金屬層，所述上金屬層包括處于電容器晶胞的所述陣列內(nèi)的與指狀電極的第四陣列叉指的指狀電極的第三陣列，其中指狀電極的所述第一陣列和所述第二陣列與指狀電極的所述第三陣列和所述第四陣列正交；
其中指狀電極的所述第一陣列包括延伸穿過電容器晶胞的所述陣列內(nèi)第一系列的電容器晶胞的公共下軌道，其中對(duì)應(yīng)系列的指狀電極的所述第一陣列和指狀電極的所述第三陣列電連接至所述公共下軌道；以及
其中指狀電極的所述第四陣列包括延伸穿過電容器晶胞的所述陣列內(nèi)第二系列的電容器晶胞的公共上軌道，并且對(duì)應(yīng)系列的指狀電極的所述第四陣列和指狀電極的所述第二陣列電連接至所述公共上軌道。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中所述第二系列的電容器晶胞與所述第一系列的電容器晶胞正交。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中電容器晶胞的所述陣列被多個(gè)邊界晶胞包圍，其中每個(gè)邊界晶胞包括處于下金屬層和上金屬層內(nèi)的金屬線布置，所述布置與指狀電極的第一陣列、第二陣列、第三陣列和第四陣列具有相同的尺寸和間距。
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