[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910067000.6
• 申請(qǐng)日: 2019-01-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110085586A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-08-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 申洪湜;李相賢;安學(xué)潤(rùn);吳省翰;吳憐默
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/088
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/088;H01L23/532;H01L23/528;H01L21/8234
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 翟然

一種半導(dǎo)體器件包括：在半導(dǎo)體基板上的金屬圖案；覆蓋金屬圖案的蝕刻停止層，該蝕刻停止層包括順序堆疊的第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層；在蝕刻停止層上的層間電介質(zhì)層；和穿透層間電介質(zhì)層和蝕刻停止層的接觸插塞，該接觸插塞連接到金屬圖案，其中第一絕緣層包括包含金屬性元素和氮的第一絕緣材料，其中第二絕緣層包括含碳的第二絕緣材料，以及其中第三絕緣層包括不含金屬性元素和碳的第三絕緣材料。

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件可以包括集成電路，該集成電路包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施方式可以通過(guò)提供一種半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)，該半導(dǎo)體器件包括：在半導(dǎo)體基板上的金屬圖案；覆蓋金屬圖案的蝕刻停止層，該蝕刻停止層包括順序堆疊的第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層；在蝕刻停止層上的層間電介質(zhì)層；和穿透層間電介質(zhì)層和蝕刻停止層的接觸插塞，該接觸插塞連接到金屬圖案，其中第一絕緣層包括包含金屬性元素和氮的第一絕緣材料，其中第二絕緣層包括含碳的第二絕緣材料，以及其中第三絕緣層包括不含金屬性元素和碳的第三絕緣材料。

實(shí)施方式可以通過(guò)提供一種半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)，該半導(dǎo)體器件包括：在半導(dǎo)體基板上的多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)；多個(gè)源極/漏極雜質(zhì)層，在半導(dǎo)體基板中在所述多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)中的每個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的相反側(cè)；多個(gè)金屬接觸圖案，連接到所述多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)和所述多個(gè)源極/漏極雜質(zhì)層；蝕刻停止層，覆蓋所述多個(gè)金屬接觸圖案的頂表面和所述多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的頂表面；在蝕刻停止層上的層間電介質(zhì)層；和接觸插塞，穿透層間電介質(zhì)層和蝕刻停止層并連接到所述多個(gè)金屬接觸圖案中的一個(gè)金屬接觸圖案，其中蝕刻停止層包括順序堆疊的第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層，以及其中第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層包括彼此不同的絕緣材料。

實(shí)施方式可以通過(guò)提供一種半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)，該半導(dǎo)體器件包括：包括第一區(qū)域和第二區(qū)域的半導(dǎo)體基板；在半導(dǎo)體基板的第一區(qū)域和第二區(qū)域上的多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管；在覆蓋場(chǎng)效應(yīng)晶體管的間隙填充絕緣層中的多個(gè)金屬接觸圖案，所述多個(gè)金屬接觸圖案連接到場(chǎng)效應(yīng)晶體管；蝕刻停止層，覆蓋所述多個(gè)金屬接觸圖案的頂表面并包括順序堆疊的第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層；在第二區(qū)域上的蝕刻停止層上的電阻結(jié)構(gòu)；覆蓋電阻結(jié)構(gòu)和蝕刻停止層的層間電介質(zhì)層；第一接觸插塞，穿透層間電介質(zhì)層和蝕刻停止層并且連接到第一區(qū)域上的所述多個(gè)金屬接觸圖案中的至少一個(gè)金屬接觸圖案；和第二接觸插塞，穿透層間電介質(zhì)層并連接到第二區(qū)域上的電阻結(jié)構(gòu)，其中第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層包括彼此不同的絕緣材料。

附圖說(shuō)明

通過(guò)參考附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施方式，特征對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是顯而易見(jiàn)的，其中：

圖1示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的簡(jiǎn)化平面圖。

圖2示出沿圖1的線I-I'截取的剖視圖，顯示了根據(jù)示例性實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件。

圖3A、圖3B和圖3C示出圖2中所示的部分A的放大圖。

圖4至圖7示出沿圖1的線I-I'截取的剖視圖，顯示了根據(jù)示例性實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件。

圖8和圖9示出顯示了根據(jù)示例性實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖視圖。

圖10至圖14示出沿圖1的線I-I'截取的剖視圖，顯示了根據(jù)示例性實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體器件的方法中的階段。

圖15示出顯示了根據(jù)示例性實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的簡(jiǎn)化平面圖。

圖16示出沿圖15的線II-II'截取的剖視圖，顯示了根據(jù)示例性實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件。

具體實(shí)施方式

在下文將參考附圖詳細(xì)描述根據(jù)示例性實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件。