[發明專利]發光二極管芯片的固接方法及固接裝置
| 申請號: | 201910065665.3 | 申請日: | 2019-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN111132459B | 公開(公告)日: | 2021-08-03 |
| 發明(設計)人: | 廖建碩 | 申請(專利權)人: | 臺灣愛司帝科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H05K1/18 | 分類號: | H05K1/18;H05K3/34;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京匯知杰知識產權代理有限公司 11587 | 代理人: | 李潔;董江虹 |
| 地址: | 中國*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 芯片 方法 裝置 | ||
本發明公開一種發光二極管芯片的固接方法及固接裝置。發光二極管芯片的固接方法包括:提供一電路基板,電路基板包括多個導電焊點;接著,將多個導電體分別設置在些導電焊點上;然后,將多個發光二極管芯片設置在電路基板,每一發光二極管芯片設置在至少兩個導電體上;接下來,將一雷射光源產生模塊所產生的一雷射光源投向每一發光二極管芯片,以使得雷射光源穿過發光二極管芯片且投射在至少兩個導電體上;最后,設置在發光二極管芯片與電路基板之間的導電體通過雷射光源的照射而固化,以使得發光二極管芯片被固接在電路基板上。借此,導電體能夠受到穿過發光二極管芯片的雷射光源的照射而固化,而使得發光二極管芯片被固接在電路基板上。
技術領域
本發明涉及一種芯片的固接方法及固接裝置,特別是涉及一種發光二極管芯片的固接方法及固接裝置。
背景技術
目前,發光二極管(Light-Emitting Diode,LED)因具備光質佳以及發光效率高等特性而得到廣泛的應用。一般來說,為了使采用發光二極管做為發光組件的顯示設備具有較佳的色彩表現能力,現有技術是利用紅、綠、藍三種顏色的發光二極管芯片的相互搭配而組成一全彩發光二極管顯示設備,此全彩發光二極管顯示設備可通過紅、綠、藍三種顏色的發光二極管芯片分別發出的紅、綠、藍三種的顏色光,然后再通過混光后形成一全彩色光,以進行相關信息的顯示。然而,在現有技術中,將發光二極管芯片固定在電路基板上的制程中,需要先將承載發光二極管芯片的基板先行移除。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于,針對現有技術的不足提供一種發光二極管芯片的固接方法及固接裝置。
為了解決上述的技術問題,本發明所采用的其中一技術方案是,提供一種發光二極管芯片的固接方法,其包括:首先,提供一電路基板,該電路基板包括多個導電焊點;接著,將多個導電體分別設置在該些導電焊點上;然后,將多個發光二極管芯片設置在該電路基板,每一該發光二極管芯片設置在至少兩個該導電體上;接下來,將一雷射光源產生模塊所產生的一雷射光源投向每一該發光二極管芯片,以使得該雷射光源穿過該發光二極管芯片且投射在至少兩個該導電體上;最后,設置在該發光二極管芯片與該電路基板之間的該導電體通過該雷射光源的照射而固化,以使得該發光二極管芯片被固接在該電路基板上。
更進一步地,每一該發光二極管芯片包括呈堆棧狀設置的一n型導電層、一被該雷射光源穿過的發光層以及一p型導電層,該n型導電層為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層,該發光層為多量子阱結構層,該p型導電層為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層;其中,該雷射光源的照射面積只涵蓋一個該導電體或者一個該發光二極管芯片,且該雷射光源產生模塊所產生的該雷射光源的強度可調整;其中,該雷射光源不會穿過該電路基板,而只穿過該發光二極管芯片。
更進一步地,每一該發光二極管芯片包括呈堆棧狀設置的一基層、一n型導電層、一被該雷射光源穿過的發光層以及一p型導電層,該基層為藍寶石基層,該n型導電層為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層,該發光層為多量子阱結構層,該p型導電層為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層;其中,該雷射光源的照射面積只涵蓋一個該導電體或者一個該發光二極管芯片,且該雷射光源產生模塊所產生的該雷射光源的強度可調整;其中,該雷射光源不會穿過該電路基板,而只穿過該發光二極管芯片。
更進一步地,在提供該電路基板的步驟后,還進一步包括:將多個該導電體分別設置在該些導電焊點上,或將至少兩個該導電體設置在每一該發光二極管芯片;其中,在該發光二極管芯片被固接在該電路基板上的步驟后,還進一步包括:將該雷射光源產生模塊所產生的該雷射光源投向該發光二極管芯片與該導電體的接觸接口,而降低該發光二極管芯片與該導電體之間的連接強度,以使得該發光二極管芯片容易脫離該導電體而從該電路基板上取下。
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