[發明專利]一種Ga同晶取代的納米GaZSM-22分子篩的合成方法有效
| 申請號: | 201910064862.3 | 申請日: | 2019-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN109516472B | 公開(公告)日: | 2022-03-22 |
| 發明(設計)人: | 王巍;吳偉;李彤;白雪峰;蘇曉芳;馮兆路 | 申請(專利權)人: | 黑龍江大學 |
| 主分類號: | C01B39/04 | 分類號: | C01B39/04;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人: | 岳泉清 |
| 地址: | 150080 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 ga 取代 納米 gazsm 22 分子篩 合成 方法 | ||
1.一種Ga同晶取代的納米GaZSM-22分子篩的合成方法,其特征在于它是按以下步驟完成的:
一、制備混合凝膠:
a、按摩爾份數稱取1份三氧化二鎵、50~90份硅源、15~27份1,6-己二胺、10~18份氫氧化鉀和1750~3150份的去離子水;將1750~3150份的去離子水按照體積比3:4:3:2分成四份,依次為去離子水Ⅰ、去離子水Ⅱ、去離子水Ⅲ和去離子水Ⅳ;
b、將步驟一a中稱取的10~18份氫氧化鉀和去離子水Ⅰ混合,制備得氫氧化鉀溶液;
c、將步驟一a稱取的1份三氧化二鎵與去離子水Ⅱ混合,得到三氧化二鎵懸浮液,在攪拌條件下將三氧化二鎵懸浮液加入步驟一b得到的氫氧化鉀溶液中,溶解得到A溶液;
d、將步驟一a稱取的15~27份1,6-己二胺與去離子水Ⅲ混合,得到1,6-己二胺溶液;在攪拌條件下將1,6-己二胺溶液加入步驟一c得到的A溶液中,得到B溶液;
e、將步驟一a稱取的50~90份硅源與去離子水Ⅳ混合,得到硅源懸浮液,在攪拌條件下將硅源懸浮液加入步驟一d得到的B溶液中,攪拌1h~3h,得到混合凝膠;
二、晶化:將混合凝膠置于帶有聚四氟乙烯內襯墊的不銹鋼的密閉反應釜中,在溫度為145~185℃和轉速為60r/min~180r/min的條件下動態晶化10h~48h,再冷卻至25℃,然后依次經離心、洗滌和干燥處理后放入馬弗爐中,在500~700℃的溫度下焙燒3h~20h,得到Ga原位同晶取代的納米GaZSM-22分子篩。
2.根據權利要求1所述的一種Ga同晶取代的納米GaZSM-22分子篩的合成方法,其特征在于步驟一a中硅源中Si與三氧化二鎵中Ga的原子比為25~45:1。
3.根據權利要求2所述的一種Ga同晶取代的納米GaZSM-22分子篩的合成方法,其特征在于步驟一a中所述硅源為質量分數為20.0~40.0%的硅溶膠。
4.根據權利要求1所述的一種Ga同晶取代的納米GaZSM-22分子篩的合成方法,其特征在于步驟二中在溫度為155~165℃和轉速為80r/min~120r/min的條件下動態晶化12h~36h。
5.根據權利要求1所述的一種Ga同晶取代的納米GaZSM-22分子篩的合成方法,其特征在于步驟二中離心的條件為在3000r/min~5000r/min轉速下離心5min~10min。
6.根據權利要求5所述的一種Ga同晶取代的納米GaZSM-22分子篩的合成方法,其特征在于步驟二中洗滌的條件為用二次去離子水洗滌3~5次。
7.根據權利要求6所述的一種Ga同晶取代的納米GaZSM-22分子篩的合成方法,其特征在于步驟二中干燥處理的條件為在溫度為100~120℃下干燥12h。
8.根據權利要求1所述的一種Ga同晶取代的納米GaZSM-22分子篩的合成方法,其特征在于步驟二中所述的Ga原位同晶取代的納米GaZSM-22分子篩為棒狀納米晶,粒徑為20nm~50nm,晶粒長度為50nm~100nm。
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