[發(fā)明專利]一種基板切割方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910064659.6
• 申請(qǐng)日: 2019-01-23
• 公開（公告）號(hào): CN111470471A
• 公開（公告）日: 2020-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顧佳燁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號(hào): B81C99/00
• 分類號(hào): B81C99/00
• 代理公司: 北京知元同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11535
• 代理人: 劉元霞

1.一種基板切割方法，用于切割基板，所述基板的正面形成有具有預(yù)定功能的功能區(qū)域，所述基板還具有圍繞該功能區(qū)域的待切割區(qū)域，該方法包括：

從所述待切割區(qū)域的正面刻蝕所述待切割區(qū)域至第一深度；以及

從所述基板的背面刻蝕所述基板，同時(shí)刻蝕掉所述功能區(qū)域背面的基板以及從所述待切割區(qū)域的背面刻蝕所述基板至第二深度，其中，所述第一深度與所述第二深度的和小于所述基板的厚度。

2.如權(quán)利要求1所述的基板切割方法，其中，

所述待切割區(qū)域的剩余厚度的基板的厚度為50～100微米。

3.如權(quán)利要求1所述的基板切割方法，其中，

所述功能區(qū)域在平行于所述基板的正面方向上的橫向尺寸大于所述待切割區(qū)域在平行于所述基板的正面方向上的橫向尺寸。

4.如權(quán)利要求3所述的基板切割方法，其中，

根據(jù)所述功能區(qū)域背面基板的刻蝕速度和所述待切割區(qū)域的背面的刻蝕速度的比值，以及所述待切割區(qū)域的剩余厚度的基板的厚度，確定從所述待切割區(qū)域的正面進(jìn)行刻蝕的所述第一深度。

5.一種基板切割方法，用于切割基板，所述基板的正面形成有具有預(yù)定功能的功能區(qū)域，所述基板還具有圍繞該功能區(qū)域的待切割區(qū)域，所述功能區(qū)域與所述基板的正面之間形成有鈍化層，該方法包括：

從所述基板的背面刻蝕所述待切割區(qū)域的一部分，以及所述功能區(qū)域背面的基板，其中，所述待切割區(qū)域的一部分被刻透。

6.如權(quán)利要求5所述的基板切割方法，其中，

所述待切割區(qū)域的未被刻蝕的部分的橫向尺寸的最小值小于所述切割區(qū)域的寬度。

7.如權(quán)利要求6所述的基板切割方法，其中，

所述待切割區(qū)域的未被刻蝕的部分的橫向尺寸的最小值為30～50微米。

8.如權(quán)利要求5所述的基板切割方法，其中，

在所述待切割區(qū)域的長(zhǎng)度方向上，所述待切割區(qū)域的未被刻蝕的部分與被刻透的部分交替分布。

9.如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的基板切割方法，其中，所述基板切割方法還包括：

切斷所述待切割區(qū)域的保留的基板，使相鄰的所述功能區(qū)域彼此分離。