[發明專利]一種溶液法制備SnSe的方法有效
| 申請號: | 201910064353.0 | 申請日: | 2019-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN109534305B | 公開(公告)日: | 2022-12-20 |
| 發明(設計)人: | 張荔;郭銳;葛萬銀;朱建峰 | 申請(專利權)人: | 陜西科技大學 |
| 主分類號: | C01B19/04 | 分類號: | C01B19/04 |
| 代理公司: | 廣州中粵知識產權代理事務所(普通合伙) 44752 | 代理人: | 楊毅宇 |
| 地址: | 710021 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 溶液 法制 snse 方法 | ||
本發明公開了一種溶液法制備SnSe的方法,將硒粉分散在高沸點溶劑中獲得硒源的前驅體溶液A;然后在抽真空條件下,去除前驅體溶液A的水蒸氣,獲得無氧氣無水汽的環境;然后經升溫,加熱處理,按比例抽取前驅體溶液A加入到錫源和乙醇組成的混合溶液B中,得到混合溶液C,然后對混合溶液C進行醇熱反應后冷卻至室溫;經過離心分離,清洗干燥獲得黑褐色的目標產物。本發明的制備方法無需高溫高壓,且反應不含任何劇毒有害物質。以無機錫鹽為錫源,將前驅體溶液在反應釜中醇熱數小時即可得到目標產物,且產物為純片狀的納米片。
技術領域
本發明屬于二維層狀材料技術領域,具體涉及一種溶液法制備SnSe的方法。
背景技術
隨著石墨烯變為材料研究領域中的明星材料之后,二維層狀材料受到了廣泛的關注。當二維層狀材料的厚度減小到納米尺度,甚至是原子層厚度的時候,二維層狀材料展現出其奇異的物理、化學、光學、電學等性質。國內外一流的大學和研究機構對二維層狀材料均表現出極大的興趣,從材料的制備方法到它們各種功能化應用均展開了如火如荼地研究。在這些材料中,SnSe作為一種重要的P型半導體材料,其組成元素Sn和Se在地殼中含量豐富且無毒害,具有環境友好性,在熱電材料和電池材料等領域中表現出了較強的應用前景。
為了制備二維層狀SnSe納米片,目前公開的若干種方法中,包括化學氣相傳輸法、液相法、固相反應法,這些方法有的成本高昂,有的是制備過程繁瑣,有的則是在合成過程中涉及使用水合肼等毒性較大的試劑反應,導致制備過程對環境和操作者產生不利影響。由此可見SnSe納米片不僅具有學術價值,而且也具有實用價值。因此,簡單綠色SnSe制備工藝研究具有非常重要的科學意義。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于針對上述現有技術中的不足,提供一種溶液法制備SnSe的方法,能夠生長出純的SnSe納米片。
本發明采用以下技術方案:
一種溶液法制備SnSe的方法,將硒粉分散在高沸點溶劑中獲得硒源的前驅體溶液A;然后在抽真空條件下,去除前驅體溶液A的水蒸氣,獲得無氧氣無水汽的環境;然后經升溫,加熱處理,按比例抽取前驅體溶液A加入到錫源和乙醇組成的混合溶液B中,得到混合溶液C,然后對混合溶液C進行醇熱反應后冷卻至室溫;經過離心分離,清洗干燥獲得黑褐色的目標產物。
具體的,對前驅體溶液A進行攪拌并升溫,通入惰性氣體,使用機械泵進行抽氣,然后再通入惰性氣體,反復進行若干次直至獲得無氧氣無水汽的環境。
進一步的,將前驅體溶液A在100~130℃加熱20~30min,抽真空加熱除水蒸氣,然后通入高純氮氣或氬氣將前驅體溶液A升溫至240~290℃加熱溶解反應,并保溫1.5~2.5h。
具體的,保溫結束后,降溫至80~90℃,抽取前驅體溶液A加入到混合溶液B中,得到混合溶液C。
進一步的,錫源與前驅體溶液A的比例為1:(2~4)。
更進一步的,前驅體溶液A和混合溶液B的體積比為(2~4):(25~30)。
具體的,醇熱反應的溫度為220℃,時間為5~6h。
具體的,離心速率為5000~10000r/min,采用乙醇進行清洗2~4次,烘干溫度為50~80℃,時間為20~180min。
具體的,錫源為無水氯化亞錫。
具體的,高沸點溶劑為油酸溶液。
與現有技術相比,本發明至少具有以下有益效果:
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