[發明專利]待光刻基板、光刻模板、近場掃描光刻方法及裝置

有效

• 申請號: 201910063140.6
• 申請日: 2019-01-23
• 公開（公告）號: CN109656094B
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 王亮;秦金;羅慧雯
• 申請（專利權）人: 中國科學技術大學
• 主分類號: G03F1/38
• 分類號: G03F1/38;G03F7/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 姚璐華;王寶筠

1.一種待光刻基板，其特征在于，所述待光刻基板包括：

第一基底；

設置在所述第一基底表面的第一雙曲色散材料層；所述第一雙曲色散材料層包括：多層層疊交替設置的第一金屬層以及第一絕緣介質層；所述第一金屬層與所述第一絕緣介質層均透光；所述第一雙曲色散材料層具有反射性；

設置在所述第一雙曲色散材料層背離所述第一基底一側表面的光刻膠層；

其中，對所述待光刻基板進行近場掃描光刻時，所述待光刻基板用于與光刻模板相對設置，所述光刻模板用于提供局域光場照射所述光刻膠層；所述第一雙曲色散材料層用于限制所述局域光場的發散。

2.根據權利要求1所述的待光刻基板，其特征在于，所述第一金屬層為Ag薄膜層，所述第一絕緣介質層為SiNx薄膜層。

3.根據權利要求1所述的待光刻基板，其特征在于，所述第一金屬層的層數為4、或5、或6。

4.一種光刻模板，其特征在于，所述光刻模板包括：

第二基底，所述第二基底包括光學天線；

設置在所述第二基底表面的第二雙曲色散材料層；所述第二雙曲色散材料層包括：多層層疊交替設置的第二金屬層以及第二絕緣介質層；所述第二金屬層與所述第二絕緣介質層均透光；所述第二雙曲色散材料層具有增透性；

其中，所述光學天線用于基于光源形成局域光場，所述第二雙曲色散材料層用于限制所述局域光場的發散；所述光刻模板用于為待光刻基板進行近場掃描光刻時，為所述待光刻基板提供所述局域光場。

5.根據權利要求4所述的光刻模板，其特征在于，所述第二金屬層為Ag薄膜層，所述第二絕緣介質層為SiNx薄膜層。

6.根據權利要求4所述的光刻模板，其特征在于，所述第二金屬層的層數為4、或5、或6。

7.一種近場掃描光刻裝置，其特征在于，所述近場掃描光刻裝置包括：相對設置的待光刻基板以及光刻模板；

其中，所述待光刻基板為如權利要求1-3任一項所述的待光刻基板；所述光刻模板為如權利要求4-6任一項所述的光刻模板。

8.一種近場掃描光刻方法，其特征在于，所述近場掃描光刻方法包括：

提供一待光刻基板，所述待光刻基板包括：第一基底，設置在所述第一基底表面的第一雙曲色散材料層，以及設置在所述第一雙曲色散材料層背離所述第一基底一側表面的光刻膠層；所述第一雙曲色散材料層包括：多層層疊交替設置的第一金屬層以及第一絕緣介質層；所述第一金屬層與所述第一絕緣介質層均透光；所述第一雙曲色散材料層具有反射性；

在所述待光刻基板朝向所述光刻膠層的一側設置光刻模板，所述光刻模板包括：第二基底以及設置在所述第二基底表面的第二雙曲色散材料層，所述第二雙曲色散材料層與所述光刻膠層相對設置；所述第二基底包括光學天線；所述第二雙曲色散材料層包括：多層層疊交替設置的第二金屬層以及第二絕緣介質層；所述第二金屬層與所述第二絕緣介質層均透光；所述第二雙曲色散材料層具有增透性；

通過光源照射所述光學天線，以形成局域光場，通過所述局域光場對所述光刻膠層進行曝光；

其中，所述第一雙曲色散材料層與所述第二雙曲色散材料層用于限制所述局域光場的發散。