[發明專利]寬帶SIGW帶通濾波器

有效

• 申請號: 201910062835.2
• 申請日: 2019-01-23
• 公開（公告）號: CN109687068B
• 公開（公告）日: 2023-09-01
• 發明（設計）人: 申東婭;張秀普;董明;袁洪;阮志東
• 申請（專利權）人: 云南大學
• 主分類號: H01P1/203
• 分類號: H01P1/203
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.新型SIGW寬帶帶通濾波器，包括：頂層介質板(1)，中間層介質板(2)，底層介質板(3)，其中：

a.頂層介質板(1)上打有三列第一周期性金屬過孔(4)，頂層介質板(1)的上表面印刷有頂層介質板(1)第一上表面金屬層(14)，下表面印刷有圓形金屬貼片(5)；

b.底層介質板(3)的上表面印刷有底層介質板(3)第二上表面金屬層(15)，下表面印刷有底層介質板(3)下表面金屬層(16)；底層介質板(3)的兩側邊緣打有第二周期性金屬過孔(17)，并在中間位置打有第三周期性金屬過孔(6)；底層介質板(3)第二上表面金屬層(15)上開有“類十字形”縫隙(21)，每兩個“類十字形”縫隙構成一個“類十字形”縫隙列；中間的兩個“類十字形”縫隙列為第一組“類十字形”縫隙列(7、8)，邊上的兩個“類十字形”縫隙為第二組“類十字形”縫隙列(9、19)；第一組的每一個“類十字形”縫隙列(7、8)均由兩個有間隔的“類十字形”縫隙構成，第二組的每一個“類十字形”縫隙列(9、19)由兩個連續的“類十字形”縫隙構成；每一個“類十字形”縫隙列(7、8、9、19)均關于第三周期性金屬過孔(6)對稱；在每一個“類十字形”縫隙列(7、8、9、19)的周圍蝕刻出不同形狀的小縫隙(20)；底層介質板(3)第二上表面金屬層(15)的兩端分別與印刷的第一過渡漸變線金屬層(10、11)和第二過渡漸變線金屬層(12、13)連接；

c.中間層介質板(2)位于頂層介質板(1)和底層介質板(3)的中間位置；

d.頂層介質板(1)、第一周期性金屬過孔(4)和圓形金屬貼片(5)組成理想磁導體(PMC)層；

e.底層介質板(3)的寬度與頂層介質板(1)和中間層介質板(2)的寬度相同，但底層介質板(3)的長度大于頂層介質板(1)和中間層介質板(2)的長度，使第一過渡漸變線金屬層(10、11)和第二過渡漸變線金屬層(12、13)處于裸露狀態。

2.根據權利要求1所述的新型SIGW寬帶帶通濾波器，其特征是：所述新型SIGW寬帶帶通濾波器的頂層介質板(1)的介電常數高于中間層介質板(2)和底層介質板(3)的介電常數，中間層介質板(2)和底層介質板(3)的介電常數相同；中間層介質板(2)和底層介質板(3)的損耗角正切要求高，選擇損耗角正切小的介質板，頂層介質板(1)的損耗角正切要求不高，選擇便宜的大損耗的介質板；頂層介質板(1)的厚度大于中間層介質板(2)的厚度；頂層介質板(1)與中間層介質板(2)長度和寬度相同。

3.根據權利要求1所述的新型SIGW寬帶帶通濾波器，其特征是：所述的新型SIGW寬帶帶通濾波器，在每一個“類十字形”縫隙列(7、8、9、19)的周圍蝕刻出不同形狀的小縫隙(20)，以增強濾波器的電耦合。

4.根據權利要求1所述的新型SIGW寬帶帶通濾波器，其特征是：所述的新型SIGW寬帶帶通濾波器，形成的理想磁導體(PMC)結構使級聯的切比雪夫濾波器的各階電路中并聯的電容和電感增加，使切比雪夫濾波器變為橢圓濾波器，并使其通帶兩側都具有傳輸零點，帶外衰減更加陡峭。

5.根據權利要求1所述的新型SIGW寬帶帶通濾波器，其特征是：所述的新型SIGW寬帶帶通濾波器，增加頂層介質板(1)的厚度，可以降低工作帶寬。

6.根據權利要求1所述的新型SIGW寬帶帶通濾波器，其特征是：所述的新型SIGW寬帶帶通濾波器，增加圓形金屬貼片(5)的尺寸可以使通帶右側的傳輸零點向左移動，減小帶寬。

7.根據權利要求1所述的新型SIGW寬帶帶通濾波器，其特征是：所述的新型SIGW寬帶帶通濾波器，通過改變底層介質板(3)中間位置的第三周期性金屬過孔(6)的直徑可以改變各級接地電感，實現對該帶通濾波器中心頻率的調節，而不影響工作帶寬。

8.根據權利要求1所述的新型SIGW寬帶帶通濾波器，其特征是：所述的新型SIGW寬帶帶通濾波器，底層介質板(3)中的兩個“類十字形”縫隙列(7、8)的兩個“類十字形”縫隙之間存在間隙(18)，調整間隙(18)的長度可以消除該帶通濾波器的帶外阻帶的諧振問題。