[發明專利]一種有機發光二極管顯示器有效
| 申請號: | 201910062387.6 | 申請日: | 2019-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN109817669B | 公開(公告)日: | 2021-07-23 |
| 發明(設計)人: | 邴一飛;吳聰原 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 發光二極管 顯示器 | ||
本發明提供一種有機發光二極管顯示器,該有機發光二極管顯示器包括:陽極,設于襯底基板上;像素定義層,設于部分陽極和未被所述陽極覆蓋的襯底基板上;所述像素定義層包括至少兩個間隔設置的像素定義單元,至少一所述像素定義單元上設置有凹槽;所述凹槽內設置有金屬層;有機功能層,設于所述陽極上,且所述有機功能層的位置與相鄰兩個所述像素定義單元之間的間隙處的位置對應;電子傳輸層,設于所述有機功能層、所述金屬層以及未被所述有機功能層和所述金屬層覆蓋的像素定義層上;所述金屬層通過所述電子傳輸層與所述陰極導通;陰極,設于所述電子傳輸層上。本發明的有機發光二極管顯示器,能夠提高顯示效果。
【技術領域】
本發明涉及顯示技術領域,特別是涉及一種有機發光二極管顯示器。
【背景技術】
與被動發光的液晶顯示器(LCD)相比,自主發光的有機發光二極管顯示器(Organic Light-Emitting Diode,OLED)具有響應速度快、對比度高、視角廣等優點,并且容易實現柔性顯示,被普遍應用。OLED顯示器極有可能成為下一代顯示技術的主流產品。
如圖1所示,現有的頂發射(Top-emission)的OLED器件100包括襯底基板11、陽極12、像素定義層13、有機功能層20、電子傳輸層14以及陰極15,有機功能層20包括空穴注入層21、空穴傳輸層22、有機發光層23,由于陰極15位于出光側,因此要求陰極具有很好的透光屬性。
然而,目前的Top-emission常用的陰極材料在實現較高透過率的同時,電阻都比較大,也即降低了導電性,從而導致大尺寸OLED在顯示時,產生較為嚴重的電壓降(IR-drop)現象,致使面板發光不均勻,降低了顯示效果。
因此,有必要提供一種有機發光二極管顯示器,以解決現有技術所存在的問題。
【發明內容】
本發明的目的在于提供一種有機發光二極管顯示器,能夠提高發光均勻性和顯示效果。
為解決上述技術問題,本發明提供一種有機發光二極管顯示器,其包括:
襯底基板;
陽極,設于所述襯底基板上;
像素定義層,設于部分陽極和未被所述陽極覆蓋的襯底基板上;所述像素定義層包括至少兩個間隔設置的像素定義單元,至少一所述像素定義單元上設置有凹槽;所述凹槽內設置有金屬層;
有機功能層,設于所述陽極上,且所述有機功能層的位置與相鄰兩個所述像素定義單元之間的間隙處的位置對應;
電子傳輸層,設于所述有機功能層、所述金屬層以及未被所述有機功能層和所述金屬層覆蓋的像素定義層上;所述金屬層通過所述電子傳輸層與所述陰極導通;
陰極,設于所述電子傳輸層上。
在本發明的有機發光二極管顯示器中,所述像素定義層的高度高于所述金屬層的高度。
在本發明的有機發光二極管顯示器中,所述金屬層的厚度小于所述有機功能層的厚度,且所述金屬層的上表面和所述有機功能層的上表面齊平。
在本發明的有機發光二極管顯示器中,所述有機功能層還包括依次設于所述陽極上的空穴注入層、空穴傳輸層以及有機發光層;
所述金屬層的上表面和所述有機發光層的上表面齊平,且所述金屬層的下表面與所述有機發光層的下表面齊平。
在本發明的有機發光二極管顯示器中,所述電子傳輸層的材料包括有機材料和金屬納米粒子。
在本發明的有機發光二極管顯示器中,所述金屬納米粒子包括銀納米粒子和金納米粒子中的至少一種。
在本發明的有機發光二極管顯示器中,在所述電子傳輸層中,所述金屬納米粒子的質量百分比范圍為1%~5%。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





