[發明專利]等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201910061907.1
• 申請日: 2019-01-22
• 公開（公告）號: CN110120329B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 丹藤匠;一野貴雅;橫川賢悅
• 申請（專利權）人: 株式會社日立高新技術
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李國華

1.一種等離子體處理裝置，該等離子體處理裝置具備：

處理室，由真空容器形成；

樣品臺，設置在所述處理室的內部，對被處理物進行載置；

真空排氣部，具備真空泵，將所述處理室的內部排氣成真空；以及

等離子體產生部，具備電源，在所述處理室的內部產生等離子體，

該等離子體處理裝置的特征在于，所述樣品臺具備：

第1金屬制的基材，在內部形成有冷媒的流路；

第2金屬制的基材，處于所述第1金屬制的基材的上部且熱傳導率比所述第1金屬制的基材小；

絕緣膜層，由將所述第2金屬制的基材的表面覆蓋的絕緣構件形成且在內部形成電極，利用靜電力吸附載置在上表面的所述被處理物；以及

多個升降銷釘，在停止了所述靜電力作用下的吸附的狀態下，使所述被處理物相對于所述絕緣膜層的上表面上下地移動，

在所述第1金屬制的基材、所述第2金屬制的基材和所述絕緣膜層形成穿過多個所述升降銷釘的多個貫通孔，在多個所述貫通孔各自的內部，使所述升降銷釘和所述第1金屬制的基材以及所述第2金屬制的基材電絕緣，并且將由熱傳導率比所述第2金屬制的基材大的絕緣構件形成的凸臺插入。

2.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

使得在插入了所述凸臺的狀態下該凸臺的外側壁面和形成于所述第2金屬制的基材的所述貫通孔的內側壁面的間隙比所述凸臺的外側壁面和形成于所述第1金屬制的基材的所述貫通孔的內側壁面的間隙大，將第1粘接劑夾在所述凸臺的外側壁面和所述第1金屬制的基材的內側壁面的間隙中而將所述凸臺的外側壁面和所述第1金屬制的基材的內側壁面連接。

3.根據權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述第1粘接劑的熱傳導率比所述第2金屬制的基材的熱傳導率大。

4.根據權利要求2或3所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述第1粘接劑的剛性比所述第2金屬制的基材的剛性小。

5.根據權利要求2或3所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

將第2粘接劑夾在所述凸臺的外側壁面和形成于所述第2金屬制的基材的所述貫通孔的內側壁面的間隙中而將所述凸臺的外側壁面和所述第2金屬制的基材連接，具備將所述凸臺的外側壁面和所述第2金屬制的基材之間的間隙與所述第1金屬制的基材的外部連通的連通路。

6.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述凸臺具有內側和外側這兩層，所述內側的層由絕緣性比所述外側的層高且熱傳導率比所述外側的層低的材料形成。

7.根據權利要求1～3中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述第2金屬制的基材以鈦或者鈦合金為材料來形成，所述第1金屬制的基材以鋁或者鋁合金為材料來形成。

8.根據權利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述凸臺以氮化鋁為材料來形成。