[發明專利]近紫外發光二極管外延片及其制備方法

有效

• 申請號: 201910061709.5
• 申請日: 2019-01-23
• 公開（公告）號: CN109888068B
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發明（設計）人: 蘇晨;肖揚;王慧;蔣媛媛;呂蒙普;胡加輝;李鵬
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種近紫外發光二極管外延片，其特征在于，所述外延片包括：襯底、在所述襯底上順次沉積的AlN緩沖層、非摻雜AlGaN層、N型摻雜AlGaN層、低溫應力釋放層、多量子阱層、電子阻擋層、P型摻雜AlGaN層、以及P型接觸層，所述多量子阱層包括多個量子阱層和多個量子壘層，所述量子阱層與所述量子壘層交替層疊生長，所述量子壘層包括B_xAl_1-xN子層，所述量子阱層包括In_yGa_1-yN子層，0.13≤x≤0.15，0≤y<0.1。

2.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述量子壘層還包括第一GaN子層，同一所述量子壘層中，所述第一GaN子層比所述B_xAl_1-xN子層更加靠近所述低溫應力釋放層。

3.根據權利要求2所述的外延片，其特征在于，所述量子壘層還包括第二GaN子層，同一所述量子壘層中，所述B_xAl_1-xN子層位于所述第一GaN子層和所述第二GaN子層之間，所述第一GaN子層比所述第二GaN子層更加靠近所述低溫應力釋放層。

4.根據權利要求3所述的外延片，其特征在于，所述第一GaN子層中摻雜Al，所述第一GaN子層中，Al的摩爾濃度與Ga的摩爾濃度之比為1.5～4。

5.根據權利要求3所述的外延片，其特征在于，所述第一GaN子層和所述第二GaN子層的厚度相同，所述B_xAl_1-xN子層的厚度是所述第一GaN子層的厚度的1.5～2倍。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的外延片，其特征在于，所述量子阱層的厚度為1～3nm，所述量子壘層的厚度為9～20nm。

7.根據權利要求1-5中任一項所述的外延片，其特征在于，所述低溫應力釋放層為InGaN子層與第三GaN子層交替生長的超晶格結構。

8.一種近紫外發光二極管外延片的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供襯底；

在所述襯底上順次沉積AlN緩沖層、非摻雜AlGaN層、N型摻雜AlGaN層、低溫應力釋放層、多量子阱層、電子阻擋層、P型摻雜AlGaN層、以及P型接觸層，所述多量子阱層包括多個量子阱層和多個量子壘層，所述量子阱層與所述量子壘層交替生長，所述量子壘層包括B_xAl_1-xN子層，所述量子阱層包括In_yGa_1-yN子層，0.13≤x≤0.15，0≤y<0.1。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述量子阱層的生長溫度為在720～829℃，所述量子壘層的生長溫度為850～959℃。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述量子阱層和所述量子壘層的生長壓力為100～500Torr。