[發(fā)明專利]一種高介電蛋清薄膜材料的制備方法以及可穿戴電子器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910059887.4 | 申請(qǐng)日: | 2019-01-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109705585B | 公開(公告)日: | 2021-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周廣東;段書凱;王麗丹;胡小芳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西南大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C08L89/00 | 分類號(hào): | C08L89/00;C08K5/06;C08K3/26;C08J5/18 |
| 代理公司: | 北京匯捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11531 | 代理人: | 李宏偉 |
| 地址: | 400715 重慶市北*** | 國(guó)省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高介電 蛋清 薄膜 材料 制備 方法 以及 穿戴 電子器件 | ||
本發(fā)明適用于材料技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種高介電蛋清薄膜材料的制備方法以及可穿戴電子器件。該薄膜制備方法包括:從禽蛋中提取出蛋清溶液;按配方稱取三聚甘油、5,6?二羥基吲哚、NaHCO3粉末和蛋清溶液;將三聚甘油加入稱好的蛋清溶液中,在室溫條件下攪拌2.5~3.5小時(shí),得到第一混合液;向第一混合液加入5,6?二羥基吲哚和NaHCO3粉末,并攪拌至溶液顏色變?yōu)楹谧仙玫降诙旌弦海粚⒌诙旌弦壕鶆驗(yàn)┩吭陬A(yù)先準(zhǔn)備好的玻璃板上,并于95℃~99℃保持2.5~3.5小時(shí)烘干,取出并冷卻至室溫后剝離,得到薄膜材料。采用本發(fā)明制備方法制得的薄膜材料,采用成本低廉且可生物降解的禽蛋蛋清作為薄膜主要原料,并且制得的薄膜材料具有優(yōu)異的介電性能,可與目前的使用的HfO2媲美。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于材料技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種高介電蛋清薄膜材料的制備方法以及可穿戴電子器件。
背景技術(shù)
目前電子設(shè)備、包括筆記本電腦、超級(jí)計(jì)算機(jī)和人工智能芯片等都是基于硅基技術(shù)發(fā)展起來(lái)的。首先,隨著芯片上的晶體管的數(shù)量集成度不斷提高,使得SiO2材料的物理厚度不斷縮減,目前已經(jīng)接近其物理極限厚度(~3納米)。尋找合適的高介電常數(shù)材料來(lái)替代SiO2延續(xù)硅基材料電子器件壽命是最為直接有效的方方法。其次,硅基材料制備的晶體管為基礎(chǔ)的電子產(chǎn)品不可降解和環(huán)境污染成為難以攻克的難題。半個(gè)世紀(jì)以來(lái),發(fā)展環(huán)境友好型功能材料、儲(chǔ)備新一代功能電子產(chǎn)品制備技術(shù)是當(dāng)下世界各個(gè)國(guó)家研發(fā)和技術(shù)保護(hù)的重點(diǎn)之一。最后,可穿戴、超高柔性的電子產(chǎn)品在航海、航天、軍事和民用方向無(wú)不顯示出其巨大的優(yōu)勢(shì)和潛力。
目前用于替代SiO2材料用于擴(kuò)展晶體管集成密度,由于HfO2(二氧化鉿)的介電常數(shù)在13~25之間,使用HfO2來(lái)替代SiO2可以有效的解決由于物理極限厚度帶來(lái)的漏電流問(wèn)題。最為代表性的是目前CPU,i3~i7系列的處理器,就是使用了這種HfO2的復(fù)合物。
但是,HfO2材料難以滿足柔性電子產(chǎn)品的需求,并且Hf金屬材料屬于不可再生的稀有金屬資源,成本昂貴且不可降解,環(huán)保性差。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜材料,旨在解決現(xiàn)有的HfO2材料難以滿足柔性電子產(chǎn)品的需求,并且Hf金屬材料屬于不可再生的稀有金屬資源,成本昂貴且不可降解,環(huán)保性差的問(wèn)題。
本發(fā)明實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的,一種薄膜材料的制備方法,包括如下步驟:
從禽蛋中提取出蛋清溶液;
按配方稱取三聚甘油、5,6-二羥基吲哚、NaHCO3粉末和蛋清溶液,備用;
將三聚甘油加入稱好的蛋清溶液中,在室溫條件下攪拌2.5~3.5小時(shí),得到第一混合液;
向所述第一混合液加入5,6-二羥基吲哚和NaHCO3粉末,并攪拌至溶液顏色變?yōu)楹谧仙玫降诙旌弦海?/p>
將所述第二混合液均勻?yàn)┩吭陬A(yù)先準(zhǔn)備好的玻璃板上,并將所述玻璃板放入烘干裝置中,95℃~99℃保持2.5~3.5小時(shí),取出并冷卻至室溫后剝離,得到所述薄膜材料。
本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種可穿戴電子器件,所述可穿戴電子器件包括采用上述的薄膜材料的制備方法制得的薄膜材料制得的電子元件。
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