[發明專利]MOS柵晶體管及其構建方法

有效

• 申請號: 201910059689.8
• 申請日: 2019-01-22
• 公開（公告）號: CN111463257B
• 公開（公告）日: 2023-09-08
• 發明（設計）人: 櫻井建彌;吳磊;曹明霞
• 申請（專利權）人: 上海睿驅微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/41;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京知元同創知識產權代理事務所(普通合伙) 11535
• 代理人: 劉元霞

1.一種MOS柵晶體管的構建方法，其特征在于，包括：

使用O2與H2燃燒FZ硅片生長SiO2層，并在SiO2層上沉積Si3N4掩模，之后進行光刻工藝；

使用沉積在SiO2層上的Si3N4掩模和局部氧化工藝進行局部熱生長LOCOS氧化區域，各LOCOS氧化區域之間間隔預定距離；

在各LOCOS氧化區域之上沉積n型多晶硅層，并在所述n型多晶硅層上依次形成柵氧化層、多晶硅柵膜，并利用離子注入和熱退火在n型多晶硅層中形成雙擴散p基極區和n+發射極區；

在所述多晶硅柵膜之上形成含硼及磷的硅化物；

使用化學干法蝕刻和反應離子蝕刻打開含硼及磷的硅化物的兩側的接觸孔，并使用濺射沉積Al?Si?Cu，然后進行最終的鈍化膜沉積。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在使用沉積在SiO2層上的Si3N4掩模和局部氧化工藝進行局部熱生長LOCOS氧化區域的步驟之后包括：

使用化學機械拋光行程間距設置的所述LOCOS氧化區域，所述LOCOS氧化區域之間的預定距離為1.0μm。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，其特征在于，所述n型多晶硅層的厚度為0.5～0.8μm。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在SiO2層上沉積Si3N4掩模的步驟包括：

使用化學氣相沉積在SiO2層上沉積0.5μm厚的Si3N4掩模。

5.一種使用如權利要求1所述的方法構建的MOS柵晶體管，包括：發射極、多晶硅柵極結構、n型多晶硅層、p基極區、n+型發射區、LOCOS氧化區域、n-型漂移區、n+型緩沖區、p型集電極區、以及集電極；

所述n-型漂移區的上方間距設置所述LOCOS氧化區域，所述LOCOS氧化區域上方設置所述n型多晶硅層，所述n型多晶硅層中形成有所述p基極區以及n+型發射區；所述n型多晶硅層上設置有所述多晶硅柵極結構，所述多晶硅柵極結構包括從下而上設置柵氧化層、多晶硅柵膜以及含硼及磷的硅化物，所述含硼及磷的硅化物上方設置有所述發射極；所述含硼及磷的硅化物的兩側設置有接觸孔；

所述n-型漂移區的下方設置所述n+型緩沖區，所述n+型緩沖區的下方設置所述p型集電極區，所述p型集電極區的下方連接所述集電極。

6.如權利要求5所述的MOS柵晶體管，其特征在于，所述LOCOS氧化區域由SiO2局部熱生長形成。

7.如權利要求5或6所述的MOS柵晶體管，其特征在于，所述LOCOS氧化區域之間的間距為1.0μm。

8.如權利要求7所述的MOS柵晶體管，其特征在于，所述n型多晶硅層的厚度為0.5～0.8μm。