[發明專利]一種晶片清洗方法在審
| 申請號： | 201910059147.0 | 申請日： | 2019-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN109848092A | 公開（公告）日： | 2019-06-07 |
| 發明（設計）人： | 林生海;陳景韶;葛林五;葛林新;李杰;丁高生 | 申請（專利權）人： | 上海提牛機電設備有限公司 |
| 主分類號： | B08B1/02 | 分類號： | B08B1/02;B08B3/02;B08B5/02;F26B5/08 |
| 代理公司： | 上海智力專利商標事務所(普通合伙) 31105 | 代理人： | 周濤 |
| 地址： | 201405 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶片 清洗 自轉 刷頭 弧線運動 往返 水微粒 流體 種晶 氮氣 配合 方向相反 晶片表面 清洗晶片 清洗效果 全面覆蓋 多類型 清洗液 動能 水氣 重合 甩干 微塵 殘留 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶片清洗方法，其特征在于，該清洗方法包括：
清洗時，晶片（100）具有第一自轉，刷頭（200）在晶片（100）上做往返的弧線運動，弧線運動的往返點超出或重合于晶片（100）的邊沿（110）；
清洗后，晶片（100）具有第二自轉，用來甩干晶片（100）表面的殘留清洗液。
2.根據權利要求1所述的晶片清洗方法，其特征在于，清洗時，所述刷頭（200）還具有第三自轉。
3.根據權利要求2所述的晶片清洗方法，其特征在于，所述第一自轉與所述第三自轉的方向相反。
4.根據權利要求1所述的晶片清洗方法，其特征在于，該清洗方法還包括：
清洗時，向晶片（100）上噴射二流體，所述二流體為氮氣和水經過噴嘴后形成。
5.根據權利要求1-4中任一所述的晶片清洗方法，其特征在于，該清洗方法還包括：
具備送水裝置，所述送水裝置能夠向所述晶片（100）噴水。
6.根據權利要求1所述的晶片清洗方法，其特征在于，所述第二自轉的速度大于所述第一自轉的速度。
7.根據權利要求6所述的晶片清洗方法，其特征在于，所述第一自轉的速度小于800RPM，所述第二自轉的速度在2500-3500RPM之間。
8.根據權利要求2所述的晶片清洗方法，其特征在于，所述第三自轉的速度小于300RPM。
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